[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：

S1,提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；

S2,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

S21，将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有粘结层；以及

S22，通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。

2.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该步骤S21包括：

在该碳纳米管阵列的第二表面形成该粘结层；以及

将该代替基底的表面与该粘结层接触，使该代替基底的表面通过该粘结层与该碳纳米管阵列的第二表面结合。

3.如权利要求2所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，形成该粘结层的步骤包括：将粘结剂溶于溶剂中形成溶液，并雾化该溶液，使含粘结剂的雾滴落于该碳纳米管阵列的该第二表面。

4.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该步骤S21包括：

在该代替基底的表面形成该粘结层；以及

将该代替基底具有该粘结层的表面接触该碳纳米管阵列的第二表面，使该代替基底的表面通过该粘结层与该碳纳米管阵列的第二表面结合。

5.如权利要求4所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，形成该粘结层的步骤包括：将粘结剂溶于溶剂中形成溶液，并雾化该溶液，使含粘结剂的雾滴落于该代替基底的表面，从而在该代替基底的表面形成一层超薄的粘结层。

6.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该粘结层的厚度为1纳米~50微米。

7.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管结构为碳纳米管膜或碳纳米管线。

8.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该碳纳米管阵列具有多个碳纳米管垂直于所述碳纳米管阵列的第一表面和第二表面，在该分离的过程中，该多个碳纳米管沿其轴向方向同时脱离该生长基底。

9.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，该代替基底与该生长基底中的至少一方的移动方向为垂直于该生长基底的碳纳米管生长表面。

10.如权利要求1所述的碳纳米管阵列的转移方法，其特征在于，进一步包括通过加热去除该代替基底与该碳纳米管阵列之间的该粘结层。

11.一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：

S1,提供一第一基底及一第二基底，该第一基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该第一基底的表面为第一表面，远离该第一基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；

S2,将该碳纳米管阵列从该第一基底转移至该第二基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

S21，将该第二基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该第二基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有粘结层；以及

S22，通过移动该第二基底与该第一基底中的至少一方，使该第二基底与该第一基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该第一基底分离，并转移至该第二基底。

12.一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤：

S1,提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；

S2,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：

S21，将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有粘结层；以及

S22，通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底；

S3,通过加热去除该代替基底与该碳纳米管阵列之间的该粘结层；以及

S4，从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。