[发明专利]一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器有效

专利信息
申请号: 201410280573.4 申请日: 2014-06-21
公开(公告)号: CN104062561B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 赵勇;徐建文;董秋琴;郭盺;陈亮;卫二兵;王蕾 申请(专利权)人: 宁波理工环境能源科技股份有限公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 代理人: 秦月贞
地址: 315899 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 gis 局部 放电 检测 内置 电容 耦合 传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器。

背景技术

目前所见到的GIS(地理信息系统)局部放电检测所用的传感器都是等角螺旋天线或对数周期天线,由在FR4材料上敷铜皮的印刷电路板做成。这种天线有频带宽,制造简单的特点,但设有着等效高度偏低,椭圆极化长短轴差较大导致方向选择性较强,整体安装连接件多,可靠性差,传感器(天线)接地困难等明显弱点。

发明内容

本发明的目的是提供一种,以克服目前现有技术设有的上述不足。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现:

一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器,包括介质、短路负载、GIS内导体、传感电极、外壳和输出电缆口,所述介质包绕着所述传感电极,所述外壳包绕着所述介质,所述传感电极连接有接地电感,所述传感电极下侧设置有接地三通,所述短路负载贯通于所述接地三通内部,所述输出电缆口包覆着所述短路负载的一侧,所述GIS内导体位于所述传感电极上部;所述传感电极与所述GIS内导体之间设有分布电容C1,所述传感电极与所述外壳之间设有分布电容C2,所述电容C1和电容C2串联后接地。

进一步的,所述介质为陶瓷介质。

进一步的,所述传感电极在二维面上结构对称。

进一步的,所述介质、所述传感电极、所述外壳与所述接地三通以同一对称轴成对称结构。

进一步的,所述传感电极为圆板形传感电极。

进一步的,对地的高频放电电压降落在所述电容C1和电容C2上。

进一步的,所述传感电极取出所述电容C2上的高频电压,经一端口直流接地三通从所述输出电缆口输出。

本发明的有益效果为:结构精巧紧凑,工作稳定可靠,安装容易,等效高度高于普通产品。

附图说明

下面根据附图对本发明作进一步详细说明。

图1是本发明实施例所述的GIS局部放电检测内置电容耦合传感器结构示意图;

图2是本发明实施例所述的等效电路结构示意图。

图中:

1、介质;2、短路负载;3、GIS内导体;4、传感电极;5、接地电感;6、外壳;7、输出电缆口;8、接地三通;9、放电电源。

具体实施方式

如图1-2所示,本发明所述一种GIS局部放电检测内置电容耦合传感器,包括介质1、短路负载2、GIS内导体3、传感电极4、外壳6和输出电缆口7,所述介质1包绕着所述传感电极4,所述外壳6包绕着所述介质1,所述传感电极4连接有接地电感5,所述传感电极4下侧设置有接地三通8,所述短路负载2贯通于所述接地三通8内部,所述输出电缆口7包覆着所述短路负载2的一侧,所述GIS内导体位于所述传感电极4上部;所述介质1为陶瓷介质;所述传感电极4在二维面上结构对称,所述介质1、所述传感电极4、所述外壳6与所述接地三通8以同一对称轴成对称结构,所述传感电极4为圆板形传感电极;所述传感电极4与所述GIS内导体3之间设有分布电容C1,所述传感电极4与所述外壳6之间设有分布电容C2,所述电容C1和电容C2串联后接地,对地的高频放电电压降落在所述电容C1和电容C2上,所述传感电极4取出所述电容C2上的高频电压,经一端口直流接地三通从所述输出电缆口7输出。

具体使用时,在高压环境下,传感器的附近空间形成电位梯度,不同距离形成的电压也不同,本发明等效电路有三个端口,当一个端口上接短路负载时,根据散射参数和矩阵理论调整短路负载2与接地三通8中心之间的电长度,可保证电路在另外两个端口之间的直接传输,从而实现整个传感器的直流接地。实践证明,这种接地方法是目前最可靠的接地方式。

同时,由于陶瓷体在高压下有稳定的介电常数,通过选择陶瓷体的高度(相当一段同轴短截线),可实现阻抗匹配。

同时,由于传感电极4在二维面结构上对称,因而不必判断电磁波可能极化的方向,设备安装无方向选择性。

选择性地,当GIS设备容量较小时,为了节省成本,可不使用接地三通8。

选择性地,根据不同容量的GIS,可将本发明所述的电容耦合传感器制成不同规格和结构,在整个频带内平均等效高度相对于等角螺旋和对数周期传感器提高25%。

本发明不局限于上述最佳实施方式,任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

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