[发明专利]一种薄膜晶体管及其修复方法、GOA电路及显示装置在审
申请号: | 201410280893.X | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN104091830A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 毛国琪;陈曦;苏盛宇;周冉一 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 修复 方法 goa 电路 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:呈梳状的源极和呈梳状的漏极,所述源极和漏极分别包括多个梳齿部和连接各梳齿部的梳柄部;
还包括:位于所述源极和漏极的下方或上方与所述源极和漏极相绝缘的栅极;
所述源极的梳齿部与漏极的梳齿部间隔排列;
所述源极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域;所述漏极的梳柄部与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述源极的梳柄部和漏极的梳柄部为沿与所述梳齿部垂直的第一方向延伸的带状结构。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极为沿所述第一方向延伸的带状电极。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述源极和漏极下方沿所述第一方向延伸的呈带状的有源层,所述有源层在垂直方向的投影位于所述栅极在垂直方向的投影内。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述呈带状的有源层的两个侧边分别延伸至所述源极的梳齿部的末端和漏极的梳齿部的末端。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层延的两个侧边分别距离源极的梳柄部和距离漏极的梳柄部相等。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述间隔排列的源极的梳齿部和漏极的梳齿部平行设置,各相邻两个所述梳齿部之间的距离相等。
8.一种权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管的修复方法,其特征在于,当所述薄膜晶体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时,通过切割工艺至少将与栅极短路的源极的梳齿部与所述源极的梳柄部断开;所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域,该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域;和/或
当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时,通过切割工艺至少将与栅极短路的漏极的梳齿部与所述漏极的梳柄部断开;所述切割工艺的切割区域位于所述漏极的梳柄部与所述漏极的梳齿部的连接区域,该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。
9.根据权利要求8所述的修复方法,其特征在于,当所述薄膜晶体管中的源极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时,还包括:通过切割工艺将所述与栅极短路的源极的梳齿部相邻的漏极的梳齿部与该漏极的梳柄部断开,所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域,该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域;
当所述薄膜晶体管中的漏极中的一个或多个梳齿部与栅极短路时,还包括:通过切割工艺将所述与栅极短路的漏极的梳齿部相邻的源极的梳齿部与该源极的梳柄部断开,所述切割工艺的切割区域位于所述梳柄部与所述梳齿部的连接区域,该连接区域与所述栅极在垂直方向的投影无交叠区域。
10.一种GOA电路,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的GOA电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410280893.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类