[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置有效
| 申请号： | 201410280920.3 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104078621A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 白妮妮;张琨鹏;康峰;高鹏飞;韩帅;刘宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括依次在基板上形成的缓冲层和有源层，其特征在于：还包括在所述的有源层上形成的绝热保温层。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述绝热保温层的厚度为
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述绝热保温层的材料包括氮化硅或氧化硅。
6.根据权利要求1-5任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：还包括在所述绝热保温层的上方依次形成的栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层，以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过贯穿层间绝缘层、栅绝缘层及绝热保温层的过孔与所述有源层的两端连接。
7.一种用于制备如权利要求1-6任一项所述低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：提供一基板，在基板上形成缓冲层；通过构图工艺在缓冲层上形成有源层；在所述的有源层上形成绝热保温层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述有源层的边缘未被绝热保温层覆盖。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：未被绝热保温层覆盖的所述有源层的边缘宽度为不大于有源层宽度的1/4。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：还包括在所述绝热保温层的上方沉积栅绝缘层；在所述栅绝缘层上方形成栅金属薄膜，通过构图工艺形成栅电极的图案，并对所述有源层两端的区域进行掺杂处理以形成离子掺杂区；在所述栅电极上方形成层间绝缘层，并通过构图工艺形成贯穿所述绝热保温层、栅绝缘层和层间绝缘层的绝缘层过孔，从而露出所述有源层两端的离子掺杂区；在所述层间绝缘层上方形成源漏金属薄膜，并通过构图工艺形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述绝缘层过孔与所述有源层两端的离子掺杂区连接。
11.一种阵列基板，其特征在于，包含权利要求1-6任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
12.一种显示装置，其特征在于：包含权利要求11所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410280920.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
