[发明专利]电可擦可编程只读存储器在审

专利信息
申请号: 201410281050.1 申请日: 2014-06-20
公开(公告)号: CN105448340A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 權彞振;倪昊;殷常伟;高龙辉 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 江舟;吴贵明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电可擦 可编程 只读存储器
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种电可擦可编程只读存储器。

背景技术

在相关技术中,电可擦可编程只读存储器(EEPROM)包括字线(WordLine)和位线(BitLine),其中,每个位线均需要连接一个驱动器,如图1所示。在制造这样的电可擦可编程只读存储器时,需要在位线之间放置驱动器,从而导致电可擦可编程只读存储器的尺寸较大。

针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种电可擦可编程只读存储器,以至少解决每个位线均需要连接一个驱动器所导致的存储器的尺寸较大的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种电可擦可编程只读存储器,其包括:字线;位线;与上述字线和上述位线连接的晶体管;位线驱动器,每个上述位线驱动器与多条上述位线连接,用于对上述多条位线中的一条或多条进行驱动。

可选地,上述多条位线中的每条连接一组选通控制信号中的一路信号,其中,上述一组选通控制信号用于控制上述多条位线中的一条或多条与上述位线驱动器连接。

可选地,上述多条位线中的每一条均连接相同的一路上述信号。

可选地,上述多条位线中的每两条连接相同的一路上述信号。

可选地,上述多条位线中的每一条通过一个NMOS晶体管与上述位线驱动器连接。

可选地,每个上述NMOS晶体管的栅极连接上述一组选通控制信号中的一路信号,每个上述NMOS晶体管的漏极连接一条上述位线,每个上述NMOS晶体管的源极连接上述位线驱动器。

可选地,上述多条位线为4条上述位线。

可选地,上述多条位线为2条上述位线。

可选地,每个上述位线驱动器连接的上述位线的数量不同。

可选地,上述位线驱动器中的至少两个连接的上述位线的数量不同。

在本发明实施例中,采用多条位线共享一个位线驱动器的方式,减少了存储器重位线驱动器的个数,进而解决了每个位线均需要连接一个驱动器所导致的存储器的尺寸较大的技术问题,达到了缩小了存储器的尺寸的技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1是根据现有技术的一种EEPROM的示意图;

图2是根据本发明实施例的一种可选的EEPROM的示意图;

图3是根据本发明实施例的另一种可选的EEPROM的示意图;

图4是根据本发明实施例的又一种可选的EEPROM的示意图;

图5是根据本发明实施例的又一种可选的EEPROM的示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是,本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本发明实施例,提供了一种电可擦可编程只读存储器,其包括:字线;位线;与字线和位线连接的晶体管;位线驱动器,每个位线驱动器与多条位线连接,用于对多条位线中的一条或多条进行驱动。

可选地,在本实施例中的位线(BL,BitLine)可以但不限于由一组选通控制信号(GroupSignal)对每条位线(BL)进行选通控制。例如,如图2所示,第一组选通控制信号为G<0>,用于控制位线BL0、BL1、BL2、BL3。

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