[发明专利]交错地形成镍硅和镍锗结构有效

申请号：	201410281111.4	申请日：	2014-06-20
公开（公告）号：	CN104733299B	公开（公告）日：	2017-12-05
发明（设计）人：	刘继文;王昭雄	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/45
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司11409	代理人：	章社杲,孙征
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	交错形成结构
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

技术领域

本发明中描述的技术通常涉及半导体器件制造，更具体地，涉及多层结构。

背景技术

非平面晶体管结构提供了在较小占地面积(footprint)的情况下获得高器件性能的方式。这种结构的制造经常被用于产生这些结构的物质的材料性质所限制。以特定的顺序实施组件规划，可以增加通过避免一些组件规划冲突可以获得的可用半导体配置的选单。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，提供了一种在单个半导体衬底上产生半导体器件的方法，包括：产生包括硅材料部分和锗材料部分的单个半导体衬底；由第一金属在所述硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件；在第一温度下使用所述硅材料部分对所述第一组源极/漏极接触件进行退火；在将所述半导体衬底加热到所述第一温度之后，由第二金属在所述锗材料部分上形成第二组源极/漏极接触件；以及在第二温度下使用所述锗材料部分对所述第二组源极/漏极接触件进行退火，其中，所述第二温度小于所述第一温度。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属和所述第二金属为相同类型。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属和所述第二金属都包括镍。

根据本发明的一个实施例，所述第一温度在400℃至600℃的范围内。

根据本发明的一个实施例，所述第二温度在250℃至300℃的范围内。

根据本发明的一个实施例，在所述单个半导体衬底的高于形成所述第一组源极/漏极接触件的水平面处形成所述第二组源极/漏极接触件。

根据本发明的一个实施例，在所述单个半导体衬底的与形成所述第一组源极/漏极接触件相同的水平面处形成所述第二组源极/漏极接触件。

根据本发明的一个实施例，所述硅材料部分是硅衬底的一部分，所述锗材料部分形成在所述硅衬底的顶部上。

根据本发明的一个实施例，所述硅材料部分上的所述第一组源极/漏极接触件是NMOS晶体管的组件，其中，所述锗材料部分上的所述第二组源极/漏极接触件是PMOS晶体管的组件。

根据本发明的一个实施例，该方法还包括去除所述第一金属或所述第二金属的未反应的部分。

根据本发明的一个实施例，该方法还包括在所述硅材料部分和所述锗材料部分的每一个上形成介电层和栅电极，以在所述单个半导体衬底上形成两个晶体管。

根据本发明的另一方面，提供了一种在单个半导体衬底上形成的半导体器件，包括：单个半导体衬底，所述单个半导体衬底包括硅材料部分和锗材料部分；第一组源极/漏极接触件，由第一金属在所述硅材料部分上形成，其中，在第一温度下使用所述硅材料部分对所述第一组源极/漏极接触件进行退火；以及第二组源极/漏极接触件，由第二金属在所述锗材料部分上形成，其中，在将所述半导体衬底加热到所述第一温度之后，形成所述第二组源极/漏极接触件，其中，在小于所述第一温度的第二温度下使用所述锗材料部分对所述第二组源极/漏极接触件进行退火。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属和所述第二金属为相同类型。

根据本发明的一个实施例，所述第一金属和所述第二金属都包括镍。

根据本发明的一个实施例，所述第一温度在400℃至600℃的范围内。

根据本发明的一个实施例，所述第二温度在250℃至300℃的范围内。

根据本发明的一个实施例，所述第二组源极/漏极接触件设置在所述单个半导体衬底的高于所述第一组源极/漏极接触件的水平面处。

根据本发明的一个实施例，所述第二组源极/漏极接触件设置在所述单个半导体衬底的与所述第一组源极/漏极接触件相同的水平面处。

根据本发明的一个实施例，所述硅材料部分是硅衬底的一部分，所述锗材料部分形成在所述硅衬底的顶部上。

附图说明

图1是示出单个半导体衬底上的光敏层的图案化的示意图。

图2示出了在材料去除过程和剥离光敏层之后的半导体器件。

图3示出了在掺入介电层之后的半导体器件。

图4示出了在掺入栅极介电材料之后的半导体器件。