[发明专利]光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

权利要求书

1.一种分析硅锭或硅块的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(a)激发所述硅锭或硅块的至少一个侧面的至少一个部位，从而产生光致发光；

(b)获取至少一个所述侧面的所述至少一个部位所辐射出的光致发光的至少一张图像；以及

(c)根据所述硅锭或硅块中位错面密度的变化对所述至少一张图像进行解释。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对从所述锭或块的不同侧面得到的光致发光图像进行分析，从而获得随后从所述硅锭或硅块切割下来的晶片中位错面密度估算值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用至少一张光致发光图像来突出显示用于晶片生产的所述锭或块中的劣质区域。

4.一种分析硅锭或硅块的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(a)激发所述硅锭或硅块的至少一个侧面，从而产生光致发光；

(b)获取至少一个所述侧面辐射出的光致发光的至少一张图像；以及

(c)对所述至少一张图像进行解释，从而识别出所述锭或块中低有效和/或体少数载流子寿命区域。

5.一种分析硅锭或硅块的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤

(a)在不同的探测波段下，获取所述硅锭或硅块的至少一个侧面的至少两次光致发光测量结果；

(b)计算至少两次所述光致发光的测量结果的强度比；以及

(c)根据预定理论关系式，将所述强度比转换成体寿命或体扩散长度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述不同的探测波段由一台或多台电介质滤波器产生，所述方法还包括以下步骤：对所述光致发光测量结果或由于所述一台或多台电介质滤波器透射的角变化所导致的所述强度比进行归一化。

7.一种分析硅锭或硅块的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(a)获取所述硅锭或硅块的至少一个侧面的具有不同激发波长的光致发光的至少两个测量结果；

(b)计算至少两次所述光致发光的测量结果的强度比；以及

(c)根据预定理论关系式，将所述强度比转换为体寿命或体扩散长度。

8.根据权利要求1-7任一所述的方法，进一步包括使用光致发光测量结果或图像作为晶片生产的切割导引。

9.根据权利要求1-7任一所述的方法，进一步包括使用通过所述方法获得的信息对硅块或硅锭的生产进行改进。

10.根据权利要求1-7任一所述的方法，进一步包括使用通过所述方法获得的信息确定从所述硅锭或硅块中得到的晶片的价格。

11.根据权利要求1-7任一所述的方法，进一步包括使用光致发光测量结果或图像作为晶片生产的导引，被用于将晶片分拣入质量箱。

12.根据权利要求1-7任一所述的方法，进一步包括使用通过所述方法获得的信息获取硅晶片生产中原料质量的反馈。

13.一种用于分析硅锭或硅块的系统，其特征在于，所述系统包括：

光探测单元，用于获取由所述硅锭或硅块至少一个侧面产生的光致发光的至少一张图像或线扫描；以及

处理器，用于根据所述硅锭或硅块中位错面密度的变化，对至少一张光致发光图像或线扫描进行解释。

14.一种用于分析硅锭或硅块的系统，其特征在于，所述系统包括：

光探测单元，用于获取由所述硅锭或硅块至少一个侧面产生的光致发光的至少一张图像或线扫描；以及

处理器，用于解释所述至少一张光致发光图像或线扫描，从而识别在所述硅锭或硅块中具有许多缺陷的低有效和/或体少数载流子寿命的区域。

15.一种用于分析硅锭或硅块的系统，其特征在于，所述系统包括：

光探测单元，用于在不同探测波段下,获取所述硅锭或硅块至少一个侧面产生的光致发光的至少两个测量结果；以及

处理器，用于计算至少两个所述测量结果之间的强度比，并根据预定理论关系式，将所述强度比转换为体寿命或体扩散长度。