[发明专利]用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘有效
| 申请号： | 201410281863.0 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104047051A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;周启伦;寻飞林;伍明跃;邓和清;李志明;李水清 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 led 外延 晶圆制程 石墨 承载 | ||
1.用于LED外延晶圆制程的石墨承载盘，包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆衬底，所述晶圆凹槽的内侧边缘设置有一挡板结构，且所述挡板与晶圆衬底成互补关系，二者以挡板、晶圆衬底的平边为重合边构成大致圆形。
2.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：在外延生长过程中，所述挡板结构能够减少晶圆凹槽中的晶圆衬底平边空隙位置，保证晶圆衬底平边温度和气流稳定，提高外延晶圆的边缘良率。
3.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板远离石墨承载盘中心，且所述挡板平边中点与石墨承载盘中心的连线与平边呈垂直关系。
4.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板的形状为月牙形或扇形。
5.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板与晶圆衬底互补形成的圆形，其直径与晶圆衬底的直径相同。
6.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板的形成方式可与晶圆凹槽一体成型，或是在形成晶圆凹槽后采用填充方式成型。
7.根据权利要求6所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述填充材料为导热系数比石墨承载盘高的高导热材料。
8.根据权利要求7所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述高导热材料为石墨烯或碳化硅或钛金属或钨金属或前述任意组合。
9.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板的高度低于或者等于晶圆凹槽内侧边缘的高度。
10.根据权利要求9所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板的高度低于晶圆凹槽内侧边缘高度差值为0.03mm～0.5mm。
11.根据权利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承载盘，其特征在于：所述挡板的面积占所述晶圆衬底的面积之比小于或者等于1/5。
12.一种LED外延制程的MOCVD方法，其特征在于：使用权利要求1所述的用于LED发光二极管外延制程中的石墨承载盘，以所述挡板结构减少晶圆凹槽中的晶圆衬底平边空隙位置，保证晶圆衬底平边温度和气流稳定，提高外延晶圆的边缘良率。
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