[发明专利]一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂。

背景技术

化学机械抛光是随着集成电路的工业发展成长起来的，其基本目的就是通过抛光过程获得近乎完美的晶体表面结构，用于集成电路的制造，随着集成电路工业技术指标的提高，线宽的不断缩小，可靠程度的要求越来越高，对抛光晶片的表面缺陷也要求越来越少，而且对表面的平整度，粗糙度，氧化层厚度及均匀性等等方面提出了非常严格的要求，这就促进了广泛应用于各种半导体晶片抛光过程中的化学机械抛光工艺及相关设备的不断发展和进步。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：锌粉1-2份，氧化铅1-2份，酒石酸1-3份，羟乙基纤维素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，纳米硫酸钙2-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH调节剂1-3份。

本发明的有益效果是：配方简单、制作容易，其可在半导体加工的化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，从而达到平坦化的目的。

具体实施方式

实施例1

一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：锌粉1-2份，氧化铅1-2份，酒石酸1-3份，羟乙基纤维素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，纳米硫酸钙2-8份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH调节剂1-3份。