[发明专利]TiWAlN硬质薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种TiWAlN硬质薄膜，其特征在于是以高纯Ti靶、W靶、Al靶为靶材，采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ti(W，Al，N)，厚度在1-3μm；当Ti靶功率250W，W靶功率为90W，Al靶功率为75W时，薄膜具有高硬度(35.7GPa)、最佳的摩擦磨损性能。 

2.一种TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于，以高纯Ti靶、W靶、Al靶为靶材，利用双靶共焦射频反应溅射法在硬质合金或陶瓷基体上沉积得到；沉积时，真空度优于3.0×10^-5Pa，以氩气起弧，氮气为反应气体进行沉积，溅射气压0.3Pa，氩氮流量比10:(1-3)；Ti靶溅射功率230-280W，W靶溅射功率80-100W，Al靶溅射功率为0-100W。 

3.根据权利要求2所述的TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于Ti靶溅射功率250W，W靶溅射功率90W，Al靶溅射功率0-100W。 

4.根据权利要求2所述的TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于Ti靶溅射功率250W，W靶溅射功率90W，Al靶溅射功率为25-100W。 

5.根据权利要求2所述的TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于Ti靶溅射功率250W，W靶溅射功率90W，Al靶溅射功率50-100W。 

6.根据权利要求2所述的TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于Ti靶溅射功率250W，W靶溅射功率90W，Al靶溅射功率75W，此时，薄膜硬度高达35.7GPa，干切削实验下，磨损率为1.79×10^-8mm³/Nmm。 

7.根据权利要求2所述的TiWAlN硬质薄膜的制备方法，其特征在于，在基体上预先沉积纯Ti作为过渡层。