[发明专利]暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201410282977.7 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104085915A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨合情;王姣;金荣;田志霞;贾文静;马斓 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 暴露 高能 001 晶面六方相 cds 纳米 制备 方法 | ||
1.一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：将CdCl2·2.5H2O、十二硫醇加入油胺中，搅拌，在惰性气氛下升温至220～350℃，恒温搅拌回流1～10小时，所述的CdCl2·2.5H2O与十二硫醇的摩尔比为1:5～200，油胺与十二硫醇的体积比为1～10:1，制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片。
2.根据权利要求1所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：所述的CdCl2·2.5H2O与十二硫醇的摩尔比为1:80～105，油胺与十二硫醇的体积比为5～9:1。
3.根据权利要求1或2所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：在惰性气氛下250～300℃搅拌回流2～5小时。
4.根据权利要求1或2所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：在惰性气氛下270℃搅拌回流3小时。
5.一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：将CdCl2·2.5H2O加入油胺中，搅拌，在惰性气氛下升温至220～350℃，再加入十二硫醇，恒温搅拌回流1～10小时，所述的CdCl2·2.5H2O与十二硫醇的摩尔比为1:5～200，油胺与十二硫醇的体积比为1～10:1，制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片。
6.根据权利要求5所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：所述的CdCl2·2.5H2O与十二硫醇的摩尔比为1:80～105，油胺与十二硫醇的体积比为5～9:1。
7.根据权利要求5或6所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：在惰性气氛下250～300℃搅拌回流2～5小时。
8.根据权利要求5或6所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：在惰性气氛下270℃搅拌回流3小时。
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