[发明专利]太赫兹波滤波器

权利要求书

1.一种太赫兹波滤波器，能够吸收太赫兹入射波中特定频段的波实现滤波，其特征在于，包括：

亚波长金属光栅层，所述亚波长金属光栅层的光栅周期小于所述入射波波长；

承载在所述亚波长金属光栅层下方的基底层；以及

与所述基底层连接并控制所述基底层温度的温度控制装置，

其中，所述亚波长金属光栅层包括：金属栅条和介质栅条，

所述金属栅条和所述介质栅条周期性交替排布，在所述局域表面等离子共振发生时，电子在所述金属栅条上作周期性往返运动，

特定频率的所述太赫兹入射波在所述亚波长金属光栅层上发生局域表面等离子体共振，共振频率附近频段的所述太赫兹入射波被吸收；当所述温度控制装置改变所述基底层温度，所述共振频率发生变化，吸收波的频段随之变化。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述基底层为InSb、InAs、InP和GaAs中任意一种。

3.根据权利要求1所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述金属栅条由铜、金、银、铬和铝中任意一种金属制成。

4.根据权利要求1所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述介质栅条由空气、二氧化硅、环氧树脂和硅中任意一种形成。

5.根据权利要求1所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述基底层为InSb，所述金属栅条由铜制成，所述介质栅条为空气时，所述基底层温度T与所述共振频率F的变化关系为：F＝0.0168T-2.96，其中所述T的单位为K，所述F的单位为THz。

6.根据权利要求5所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述基底层温度T的变化范围为225K～325K。

7.根据权利要求5所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述共振频率F的变化范围为0.82THz～2.50THz。

8.根据权利要求5所述的太赫兹波滤波器，其特征在于：

其中，所述吸收波的频段范围为(F-0.16THz，F+0.32THz)。