[发明专利]MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，更具体地说，涉及一种MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法。

背景技术

MRAM(MagneticRandomAccessMemory，非挥发性的磁性随机存储器)存储器是数据存储器的一种，由于MRAM存储器拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，基本上可以进行无限次地重复写入，因此MRAM存储器的应用较为广泛。

本发明的发明人在研究过程中发现：MRAM存储器虽然在数据的重复写入上具有较为突出的表现(基本上可以进行无限次地重复写入)，然而MRAM存储器在进行数据读取时(如在作页(Page)读取时)，MRAM存储器的数据读取速率相对于SRAM等存储器还是较慢，如何提升MRAM存储器的数据读取速率一直是本领域技术人员极为关注的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法，以实现提升MRAM存储器的数据读取速率的目的。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种MRAM存储器，包括：

接收数据操作命令的NAND接口；

根据所述NAND接口所接收的数据操作命令，执行数据操作的MRAM阵列；

获取并缓存MRAM阵列中待读取的数据，并将所述待读取的数据通过所述NAND接口输出的页缓冲器PageBuffer；

其中，所述MRAM阵列通过所述页缓冲器与所述NAND接口相连。

其中，所述MRAM存储器还包括：

分别与所述NAND接口和所述MRAM阵列相连，解析所述NAND接口所接收的数据操作命令，以控制所述MRAM阵列根据解析结果执行数据操作的至少一个译码器。

其中，所述MRAM存储器还包括：

与所述MRAM阵列相连的X方向地址译码器；

和/或，与所述MRAM阵列相连的Y方向地址译码器；

和/或，命令译码器。

其中，所述MRAM存储器还包括：

双倍速率同步动态随机存储器DDR接口，和/或，静态随机存储器SRAM接口，和/或，串行外设接口SPI接口。

本发明实施例还提供一种数据存储系统，包括：NAND闪存控制器，及上述所述的MRAM存储器；所述NAND闪存控制器挂接在所述NAND接口上，用于控制所述MRAM存储器存取数据。

本发明实施例还提供一种数据读取方法，基于上述所述的MRAM存储器，所述方法包括：

NAND接口接收数据读取命令；

MRAM阵列确定与所述数据读取命令相对应的待读取数据；

页缓冲器PageBuffer获取并缓存所述待读取数据，并将所述待读取数据通过所述NAND接口输出。

其中，所述MRAM阵列确定与所述数据读取命令相对应的待读取数据包括：

通过译码器解析所述NAND接口所接收的数据读取命令，并获取解析结果；

根据所述解析结果确定与所述数据读取命令相对应的数据读取地址；

确定与所述数据读取地址对应的数据为所述待读取数据。

其中，所述页缓冲器获取并缓存所述待读取数据包括：

在所述MRAM阵列确定所述待读取数据后，接收所述MRAM阵列传输的所述待读取数据，缓存所述待读取数据。

本发明实施例还提供一种数据读取方法，基于一种数据存储系统，所述数据存储系统包括：NAND闪存控制器，及上述所述的MRAM存储器；所述NAND闪存控制器挂接在所述NAND接口上，用于控制所述MRAM存储器存取数据；所述方法包括：

所述NAND闪存控制器发送数据读取命令；

所述MRAM存储器的NAND接口接收数据读取命令；

所述MRAM存储器的MRAM阵列确定与所述数据读取命令相对应的待读取数据；

所述MRAM存储器的页缓冲器PageBuffer获取并缓存所述待读取数据，并在所述NAND闪存控制器的控制下，将所缓存的待读取数据通过所述NAND接口输出至所述NAND闪存控制器。

其中，所述MRAM存储器的MRAM阵列确定与所述数据读取命令相对应的待读取数据包括：

通过MRAM存储器的译码器解析所述NAND接口所接收的数据读取命令，并获取解析结果；

根据所述解析结果确定与所述数据读取命令相对应的数据读取地址；