[发明专利]一种数据处理方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 201410283472.2 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN105204774A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 王海洋 申请(专利权)人: 联想(北京)有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据处理 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种数据处理方法,其特征在于,应用于电子设备,所述电子设备包括存储器,所述方法包括:

为所述存储器中存储的同一数据集合分配不同的地址集合,使得所述数据集合分别对应第一地址集合与第二地址集合,所述第一地址集合与所述第二地址集合之间具有预设地址偏移量,所述第一地址集合对应第一数据访问模式,所述第二地址集合对应第二数据访问模式;

当接收到数据写入命令时,以所述第一数据访问模式将与所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合;其中,所述第一数据访问模式为先进先出FIFO模式;

当接收到数据读取命令时,以所述第二数据访问模式在所述第二地址集合中读取与所述数据读取命令相对应的数据;其中,所述第二数据访问模式为记忆memory模式。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第一数据访问模式将与所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合,包括:

在所述数据写入命令对应的数据的位宽小于或等于所述电子设备总线的数据位宽时,将所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合中第一写指针指向地址的高位地址,更新所述第一写指针;

在所述数据写入命令对应的数据的位宽大于所述电子设备总线的数据位宽时,将所述数据写入命令对应的数据由所述第一地址集合中第一写指针指向地址的低位地址开始写入,在所述第一写指针指向地址的高位地址被写到时更新所述第一写指针。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述第二数据访问模式在所述第二数据地址集合中读取与所述数据读取命令相对应的数据,包括:

提取所述数据读取命令中的第一数据地址;

依据所述地址偏移量,获取与所述第一数据地址相对应的第二数据地址;

在所述第二地址集合中读取所述第二数据地址所指向的数据。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,依据所述地址偏移量,获取与所述第一数据地址相对应的第二数据地址,包括:

对所述第一数据地址及所述地址偏移量进行加和计算,得到所述第二地址集合中与所述第一数据地址相对应的第二数据地址。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于,在以所述第一数据访问模式将与所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合之后,所述方法还包括:

确定所述第一地址集合中写入数据的第一写入地址;

依据所述地址偏移量,获取与所述第一写入地址相对应的第二写入地址;

在所述第二地址集合中,将所述数据写入命令对应的数据写入所述第二写入地址。

6.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括存储器,所述电子设备还包括:

数据地址分配单元,用于为所述存储器中存储的同一数据集合分配不同的地址集合,使得所述数据集合分别对应第一地址集合与第二地址集合,所述第一地址集合与所述第二地址集合之间具有预设地址偏移量,所述第一地址集合对应第一数据访问模式,所述第二地址集合对应第二数据访问模式;

数据写入单元,用于当接收到数据写入命令时,以所述第一数据访问模式将与所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合;其中,所述第一数据访问模式为先进先出FIFO模式;

数据读取单元,用于当接收到数据读取命令时,以所述第二数据访问模式在所述第二地址集合中读取与所述数据读取命令相对应的数据;其中,所述第二数据访问模式为记忆memory模式。

7.根据权利要求6所述的电子设备,其特征在于,所述数据写入单元包括:

高位写入子单元,用于在所述数据写入命令对应的数据的位宽小于或等于所述电子设备总线的数据位宽时,将所述数据写入命令对应的数据写入所述第一地址集合中第一写指针指向地址的高位地址,更新第一写指针;

低位写入子单元,用于在所述数据写入命令对应的数据的位宽大于所述电子设备总线的数据位宽时,将所述数据写入命令对应的数据由所述第一地址集合中第一写指针指向地址的低位地址开始写入,在所述第一写指针指向地址的高位地址被写到时更新所述第一写指针。

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