[发明专利]一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法有效
申请号: | 201410284022.5 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN104064478A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 傅仁利;张鹏飞;涂兴龙;方军;蒋维娜 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 复合 导热 制作方法 | ||
1.一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)利用激光在氮化铝基板表面打出贯穿孔;
(2)在氮化铝基板双面涂敷铜系电子浆料,于1000℃-1100℃空气气氛中烧结45min,形成厚度为5-50μm的铜氧化物中间层;
(3)对铜柱进行预氧化处理后,将其填充于氮化铝基板的贯穿孔中,所述铜柱直径比贯穿孔直径小0.05~0.1mm;
(4)在800℃-900℃还原气氛下对氮化铝基板和铜柱进行整体烧结30min;
(5)在氮化铝基板双面涂敷锡银铜钎料后,在250℃条件下进行钎焊;
(6)对氮化铝基板双面进行机械研磨和抛光处理;
(7)对氮化铝基板双面进行镀铜处理,氮化铝基板双面形成均匀铜层,即为铜/氮化铝陶瓷复合导热基板。
2.根据权利要求1所述铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法 ,其特征在于,步骤3中所述经过预氧化处理的铜柱是指:将铜柱在350℃空气下预氧化30min,使铜柱表面形成均匀的氧化膜。
3.根据权利要求2所述铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法,其特征在于步骤4所述还原气氛是由N2和H2构成的混合气体,其中H2占混合气体体积百分比5~20%。
4.根据权利要求3所述铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法,其特征在于步骤5中钎焊时间为30min。
5.根据权利要求4所述铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法,其特征在于步骤7所述镀铜处理是指化学镀铜或磁控溅射镀铜处理,铜层厚度为20-200μm。
6.根据权利要求1-5所述铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法,其特征在于,步骤2所述铜系电子浆料为氧化亚铜水系电子浆料,步骤5所述锡银铜钎料为无铅锡银铜锡膏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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