[发明专利]一种平面型VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201410284234.3 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105336612A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种平面型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
在外延层上生成栅氧化层，在所述栅氧化层上生成多晶硅层；
将所述多晶硅层刻蚀成多晶硅栅；
进行离子注入，形成掺杂的多晶硅栅；
在所述掺杂的多晶硅栅表面和所述栅氧化层表面形成光刻胶掩膜；
在所述掺杂的多晶硅栅上刻蚀出多晶硅栅沟槽；
在所述多晶硅栅沟槽和所述掺杂的多晶硅栅表面进行热氧化，形成氧化层。
2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述多晶硅栅沟槽将所述掺杂的多晶硅栅划分成多部分。
3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述多晶硅栅沟槽深度为0.1μm-10μm。
4.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述多晶硅栅沟槽底部与所述栅氧化层表面接触。
5.如权利要求1所述方法，其特征在于，在所述掺杂的多晶硅栅上刻蚀出多晶硅栅沟槽，其刻蚀方法是干法刻蚀。
6.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述热氧化为干氧氧化或湿氧氧化。
7.如权利要求6所述方法，其特征在于，在形成氧化层之后，还包括：
使用酸性溶液去除已形成器件上表面的氧化层。
8.如权利要求7所述方法，其特征在于，所述酸性溶液包括：硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸或其混合溶液。
9.一种平面型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS器件，其特征在于，包括：
栅极结构，由栅氧化层和掺杂的多晶硅栅组成；
其中，所述栅极结构中氧化层将元胞间掺杂的多晶硅栅分为多部分。
10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述多晶硅栅沟槽底部与所述栅氧化层表面接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
