[发明专利]CMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS器件，包括STI结构和位于相邻STI结构之间的阱区结构，其特征在于，所述阱区结构包括：

掺杂区，设置在衬底中；

防扩散区，设置在所述掺杂区与所述衬底的非掺杂区之间，将所述掺杂区和所述非掺杂区至少部分隔离开。

2.根据权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散区位于所述阱区的底部。

3.根据权利要求2所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散区的厚度为

4.根据权利要求1至3中任一项所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散区是通过向所述衬底中引入防扩散离子形成。

5.根据权利要求4所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散离子的半径大于所述衬底的原子的半径。

6.根据权利要求4或5所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散离子为惰性元素的离子。

7.根据权利要求6所述的CMOS器件，其特征在于，所述防扩散离子为氩离子、氪离子或氙离子，优选为氙离子。

8.根据权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述掺杂区是通过向所述衬底中掺杂N型元素或P型元素形成的。

9.根据权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述N型元素为磷或砷，所述P型元素为硼或铟。

10.一种权利要求1至9中任一项所述的CMOS器件的形成方法，包括在相邻的STI结构之间形成阱区结构的步骤，其特征在于，所述在相邻的STI结构之间形成阱区结构的步骤包括：

向衬底上相邻的STI结构之间的区域与所述衬底的非掺杂区之间的至少部分区域引入防扩散离子，形成将掺杂区和所述非掺杂区至少部分隔离的防扩散区；

掺杂所述防扩散区上方的区域，形成所述掺杂区，进而形成所述阱区结构。

11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述防扩散区的步骤中，向所述衬底上欲形成阱区的区域的底部引入所述防扩散离子，以形成所述防扩散区。

12.根据权利要求10或11所述的形成方法，其特征在于，形成所述防扩散区的步骤包括：采用离子注入的方式，向所述衬底上欲形成阱区的区域中与所述衬底相接触的部分边缘处注入所述防扩散离子，形成所述防扩散区。

13.根据权利要求12所述的形成方法，其特征在于，采用离子注入的方法形成所述防扩散区时，所述防扩散离子的注入能量为500～50000ev，注入剂量为2×10¹²～1×10¹³cm^-2。

14.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区的步骤中，采用离子注入的方式掺杂所述防扩散区上方的区域。

15.根据权利要求14所述的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂区的步骤中，采用垂直离子注入的方式掺杂形成所述掺杂区。