[发明专利]一种防止耦合的集成电路

权利要求书

1.一种防止耦合的集成电路，形成于一半导体晶片中，所述集成电路结构包括：一封环，耦接于一信号接地；多个穿孔，耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线；多个介电层，分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离；以及一封环延伸物，与上述封环耦接且将电路分成若干区间。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，上述电路区中至少某一部分具有操作于一信号频率高于1GHz的元件。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括形成一激光熔丝及一环绕着激光熔丝的保护环，其中上述保护环是经由一外部垫片而耦接至上述信号接地。

4.一种集成电路结构，形成于一半导体晶片中，所述集成电路结构包括：一封环，耦接于一信号接地，包括：多个金属线，其中每一金属线分属个别的一金属层，且环绕上述半导体晶片的一电路区；多个穿孔，耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线；多个介电层，分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离；以及与上述封环相邻的一额外封环，其中上述额外封环是耦接于上述接地信号。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，更包括一凸状垫片，与上述金属线耦接，其中上述凸状垫片是耦接于上述信号接地。

6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，更包括形成一激光熔丝及一环绕着激光熔丝的保护环，其中上述保护环是经由一外部垫片而耦接至上述信号接地。