[发明专利]基板的封装方法及封装结构有效
申请号: | 201410284825.0 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104022145B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 陈林豆;史凯 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 方法 结构 | ||
1.一种基板的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供基板(1)及封装板(3),所述封装板(3)具有一涂胶面(31);
步骤2、所述封装板(3)于涂胶面(31)上欲形成胶框(5)的涂布路径上设置至少一个凹槽(311);
步骤3、在封装板(3)的涂胶面(31)上涂布密封胶(50)形成连续胶框(5),该胶框(5)对应该至少一个凹槽(311)形成凹陷(51);
步骤4、在封装板(3)的涂胶面(31)上于胶框(5)所围区域内设置填充胶(70);
步骤5、将基板(1)与封装板(3)相对贴合,基板(1)与封装板(3)之间于胶框(5)的凹陷(51)位置形成气体通道(20);
步骤6、经由气体通道(20)抽出基板(1)与封装板(3)之间的空气;
步骤7、压合基板(1)和封装板(3);
步骤8、使用UV光源对密封胶(50)及填充胶(70)进行照射使其固化,从而实现封装板(1)对基板(3)的封装。
2.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述基板(1)为具有OLED器件的TFT基板。
3.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述步骤2中欲形成的胶框(5)包括内胶框(53)与外胶框(55),所述封装板(3)于涂胶面(31)上欲形成内与外胶框(53、55)的涂布路径上分别设置至少一个凹槽(311)。
4.如权利要求3所述的基板的封装方法,其特征在于,所述位于欲形成内胶框(53)的涂布路径上的凹槽(311)与位于欲形成外胶框(55)的涂布路径上的凹槽(311)对齐。
5.如权利要求4所述的基板的封装方法,其特征在于,所述位于欲形成内胶框(53)的涂布路径上的凹槽(311)与位于欲形成外胶框(55)的涂布路径上的凹槽(311)分别为四个。
6.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述步骤3中封装板(3)的凹槽(311)处的胶框(5)厚度与非凹槽处的胶框(5)厚度相同。
7.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述步骤3中位于凹槽(311)最低位置处的胶框(5)的顶点到封装板(3)涂胶面(31)的垂直距离d大于步骤7压合后胶框(5)的厚度。
8.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述步骤4设置填充胶(70)采用滴注的方式,该填充胶(70)与位于凹槽(311)的胶框(5)的内边缘保持一安全距离使得在步骤7的压合过程中填充胶(70)不会从凹槽(311)溢出。
9.如权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,所述密封胶(50)为UV胶,所述填充胶(70)为液态透明干燥剂,所述步骤7压合后位于凹槽(311)内的胶框(5)的宽度大于2mm。
10.一种封装结构,其特征在于,包括:基板(1)、封装板(3)及设于基板(1)与封装板(3)之间的由密封胶(50)形成的胶框(5)及填充胶(70),所述填充胶(70)位于胶框(5)内侧,所述封装板(3)具有一涂胶面(31),所述封装板(3)于涂胶面(31)上对应胶框(5)的涂布路径上设置至少一个凹槽(311)。
11.如权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述基板(1)为具有OLED器件的TFT基板;所述胶框(5)包括内胶框(53)与外胶框(55),所述封装板(3)于涂胶面(31)上对应内与外胶框(53、55)的涂布路径上分别设置至少一个凹槽(311),且所述位于内胶框(53)的涂布路径上的凹槽(311)与位于所述外胶框(55)的涂布路径上的凹槽(311)对齐。
12.如权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述密封胶(50)为UV胶,所述填充胶(70)为液态透明干燥剂,位于凹槽(311)内的胶框(5)的宽度大于2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的