[发明专利]基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法

权利要求书

1.基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于该方法包括下列顺序的步骤：

（1）由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统；

（2）在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位，观察位存储已知数据；

（3）冗余系统控制电路对每个SRAM存储阵列中的观察位进行周期性检查，当发现观察位数据发生翻转错误，则刷新对应SRAM存储阵列中发生翻转错误的观察位周围的嫌疑区域内的数据位，并且在刷新前的判决时放弃采用这些数据，刷新完成后，将对应的观察位的数据恢复。

2.根据权利要求1所述的基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于：读取数据或者刷新前判断正确数据时，冗余系统控制电路同时读取所有SRAM存储器以获取多份数据样本，然后采用服从多数表决法判断出结果。

3.根据权利要求1所述的基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于：所述观察位存储的已知数据为0或1。

4.根据权利要求1所述的基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于：所述嫌疑区域内的数据位为数据发生变化的观察位周围相邻物理范围内的所有数据位。

5.根据权利要求1所述的基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，其特征在于：所述冗余系统控制电路在对数据进行刷新前的判决时放弃采用嫌疑区域的数据。