[发明专利]一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构

权利要求书

1.一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述P型GaN层（7）从下至上依次包括交替生长的AlxGa1-xN层（8）和MgN-In层(9)，位于最顶层的MgN-In层(9)上方置有P-AlGaN层（10）。

2.根据权利要求1所述的具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，其特征在于：所述AlxGa1-xN层（8）和MgN-In层(9)交替生长周期为1-50个周期，生长AlxGa1-xN层（8）的厚度为10-1000埃，其中Al组分为0<x<1；生长MgN-In层（9）的厚度为5-500埃，其中In浓度为5x10¹⁷~1x10²³cm³；生长P-AlGaN层（10）厚度为5-500nm,其中，Mg的掺杂浓度为5x1017~1x10²³cm³。

3.根据权利要求1或2所述的具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，其特征在于：所述P型GaN层（7）生长温度为800-1200℃，生长压力为75-1000mbar，在氮气、氢气或者氢氮混合气环境中生长。

4.根据权利要求3所述的具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，其特征在于：所述P型GaN层（7）采用Pss衬底、平衬底、非极性衬底、Si衬底或者SiC衬底任一种。

5.根据权利要求4所述的具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，其特征在于：所述AlxGa1-xN层（8）采用P-AlGaN层、P-AlGaInN层、AlGaInN层、P-AlInN层或者AlInN层任一种。