[发明专利]摄像装置和电子设备

说明书

公开了一种摄像装置和电子设备。该摄像装置，包括：第一电极膜、有机光电转换膜、第二电极膜、以及电连接于第二电极膜的金属配线膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上，并且金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

技术领域

本技术涉及摄像装置，以及配备有该摄像装置的电子设备。

背景技术

目前，摄像装置，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合装置(CCDs)，被广泛应用于数字照相机、数字摄像机、以及其他类似的设备。此类摄像装置在每个像素中例如包括获取光电转换信号的光电转换膜以及读取光电转换信号并将其输出至外部的信号读取电路。该光电转换膜例如由有机材料构成(例如，参考日本未审查专利申请公开特开2013-55252号)。

发明内容

有机材料倾向于容易被水分或气体恶化。因此，如果光电转换膜由有机材料构成，抑制水分和气体进入该光电转换膜是必要的。在一些相关技术中，光电转化膜被一层保护膜覆盖，该保护膜包含的主要成分例如为氮化硅，从而抑制了水分和气体进入光电转换膜。然而，仅仅用保护膜覆盖光电转换膜仍然难于充分地抑制水分和气体的进入。这是因为保护膜上可能产生针孔或其台阶可能会破裂，并且通过这些气孔或裂缝的水分或气体将导致光电转换膜的恶化。此外，光电转换膜在制造过程中遭受到蚀刻损坏，并因此可能恶化。简而言之，光电转换膜倾向于容易被各种事件恶化。因此，有必要抑制光电转换膜的恶化。

所希望的是提供能够抑制光电转换膜恶化的摄像装置，以及一种配备有该摄像装置的电子设备。

根据本技术的实施例的摄像装置包括：第一电极膜；有机光电转换膜；第二电极膜；以及电连接到第二电极膜的金属配线膜。第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

根据本技术的实施例的电子设备包括：摄像装置；以及信号处理电路，该信号处理电路对从摄像装置输出的像素信号进行预定的处理，该摄像装置包括第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜，第一电极膜、有机光电转换膜以及第二电极膜按此顺序全部设置在基板上。该摄像装置还包括电连接于第二电极膜的金属配线膜，金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。

根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，电连接于第二电极膜的金属配线膜覆盖有机光电转换膜的整个端部。由此，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此，根据本技术的实施例，金属配线膜不仅用于第二电极膜施加电压路径，而且用于保护有机光电转换膜。

根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，用于驱动摄像装置的金属配线膜抑制了水分和气体通过有机光电转换膜的端部进入有机光电转换膜的内部。因此可以抑制光电转换膜的恶化。

此外，根据本技术的实施例中的摄像装置和电子设备，如果保护膜被设置在有机光电转换膜和金属配线膜之间使得其同时覆盖于有机光电转换膜和第二电极膜上，可以利用该保护膜减轻在摄像装置的制造过程中对有机光电转换膜的蚀刻损坏。因此可以抑制光电转换膜的恶化。

应理解，前面的总体描述以及后面的详细描述二者都是示范性的，并且旨在对所要求保护的技术提供进一步的说明。

附图说明

附图包括提供本公开的进一步理解，并且结合在该说明书中且构成其一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。

图1是示出根据本技术的第一实施例的摄像装置的上表面构造示例的示意图。

图2是示出从图1中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。

图3是示出根据第一变型例的摄像装置的上表面构造示例的示意图

图4是示出从图3中A-A箭头方向看的截面构造示例的示意图。