[发明专利]IGBT的栅极保护电路及电磁炉

权利要求书

1.一种IGBT的栅极保护电路，串联在IGBT的驱动电路与IGBT的栅极之间，所述IGBT的驱动电路用于产生驱动信号，其特征在于：

包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2和稳压二极管Z；

所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联形成第一支路，所述第一电容C1和所述第二电容C2串联形成第二支路，所述第一支路和所述第二支路并联后形成第一通路；所述第一电容C1和所述第二电容C2的相应公共端连接所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的相应公共端；

所述稳压二极管Z的阴极连接在所述第一通路的输入端或输出端，所述稳压二极管Z的阳极连接所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，所述稳压二极管Z用于加快所述IGBT的关断速度。

2.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为5Ω~20Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法~20微法。

3.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的阻值相等，且阻值范围均为8Ω~10Ω，所述第一电容C1和所述第二电容C2的容量相等，且容量范围均为1微法~2微法。

4.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述稳压二极管Z为高频稳压二极管。

5.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述稳压二极管Z的稳定电压比所述IGBT的栅极饱和驱动电压高1V~3V。

6.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

还包括第一二极管D，所述第一二极管D作为第二通路并联在所述第一通路的两端，用于加快所述IGBT的关断速度；

所述第一二极管D的阴极连接所述第一通路的输入端，所述第一二极管D的阳极连接所述第一通路的输出端。

7.根据权利要求6所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第一二极管D为高频整流二极管。

8.根据权利要求1所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

还包括第二二极管D1和第三电阻R3；所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的一端，所述第二二极管D1的阴极串联所述第三电阻R3后连接至所述IGBT的驱动电路的驱动信号的负极，形成第三通路。

9.根据权利要求8所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第二二极管D1为低频整流二极管。

10.根据权利要求8所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第三电阻R3为感性电阻，所述第三电阻R3的阻值范围为5Ω~5000Ω。

11.根据权利要求10所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第三电阻R3为水泥电阻，所述第三电阻R3的取值为100Ω。

12.根据权利要求8所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输入端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输出端。

13.根据权利要求8所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输出端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输出端。

14.根据权利要求8所述的IGBT的栅极保护电路，其特征在于：

所述第二二极管D1的阳极连接至所述第一通路的输入端，所述稳压二极管Z的阴极连接至所述第一通路的输入端。

15.一种电磁炉，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的IGBT的栅极保护电路。