[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基座部；

基板，设置在所述基座部上；

半导体元件，设置在所述基板上；以及

接合部，设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，所述接合部含有锡、锑以及钴。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述接合部以大于等于0.05重量％且小于等于0.2重量％的比例含有钴。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述基座部、所述基板以及所述半导体元件中的某一个在与所述接合部相接的部分包含钴。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，

还包括覆盖所述基座部、所述基板以及所述半导体元件的树脂。

5.一种半导体装置的制造方法，

在基座部与设置在所述基座部上的基板之间、以及设置在所述基板上的半导体元件与所述基板之间的至少某一方，配置含有锡、锑以及钴的接合材料；

将所述基座部、所述基板、所述半导体元件以及所述接合材料的温度在至少1分钟内保持得比所述接合材料的融点高。