[发明专利]一种线性工作功率MOSFET管并联方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，属于MOSFET管应用技术领域。

背景技术

功率MOSFET管具有驱动电路简单、无二次击穿等优点，常用于线性放大电路中。在线性工作状态，通常功率MOSFET管的漏-源极电压较大，受其功率损耗的限制，其漏极工作电流较小。为了提高功率MOSFET电路的输出能力，需要采用功率MOSFET管并联的方法，增大电路的工作电流。通常功率MOSFET管的参数离散性较大，以栅极开启电压为例，其最大误差可达2V。功率MOSFET管直接并联，其参数的差异会造成漏极电流相差较大，功率MOSFET管的功耗相差较大，对应的结温相差较大，降低了MOSFET管电路的可靠性，严重时会造成功率MOSFET管烧毁。理想情况，各支并联的功率MOSFET管漏极电流相同，即实现功率MOSFET管均流。

实现功率MOSFET管均流的一种思路是从元器件入手，保证功率MOSFET管具有相同的漏极电流～栅极-源极电压曲线。这种方法费时费力，代价较高，较难实现。

实现功率MOSFET管均流的另一种思路是采用负反馈的方法。一种负反馈的方法是在功率MOSFET管的源极串入电阻。功率MOSFET管的漏极电流越大，在源极电阻上的电压越大，从而降低了栅极-源极电压，使漏极电流减小。源极电阻越大，均流效果越好，但输出功率减小。该方法均流精度低，降低了输出功率，用于均流要求不高的场合。

另一种负反馈的方法是在功率MOSFET管的源极串入小电阻，用以检测源极电流，源极电流检测信号与输入指令进行比较，比较误差放大后控制栅极-源极电压，使漏极电流与输入指令成相应的比例关系。漏极电流与输入指令的误差取决于反馈回路的开环增益，开环增益越高，其误差越小。由于源极电阻较小，不会影响输出功率的大小。这种方法可以获得较高的均流精度，但不适于干扰较大的场合，例如电机控制。为了获得较高的均流精度，需要电流反馈电路有较高的回路增益，但用于电机控制时，电机电流会存在较大的波动，较高的回路增益，使得电机电流波动放大较多，电机控制电路无法正常工作。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。

本发明的上述目的主要是通过如下技术方案予以实现的：

一种线性工作功率MOSFET管并联方法，包括如下步骤：

步骤(一)、根据MOSFET管开启电压最大值V_GS(th₎max和输入信号的电压Vc按如下公式选取电阻R1、电阻R2、电阻R4和电阻R5：

R2R1>VGS(th)max+2|Vc|max]]>

R5R4>VGS(th)max+2|Vc|max]]>

R2＝R5；