[发明专利]一种光耦器件及其制备方法

权利要求书

1.一种光耦器件，包括基板、在所述基板上依次层叠设置的发光薄膜组、透明的电绝缘隔离层和光敏薄膜组，其特征在于，所述光敏薄膜组进一步包括光敏薄膜组的第一电极、光敏功能层、光敏薄膜组的第二电极，所述光敏功能层中包括具有光电导效应或光敏性的有机光敏层，所述有机光敏层的吸收光谱宽度大于或等于300nm；所述有机光敏层材料的结构式为RNH₃MX₃，

其中R为C₁-C₂₀的脂肪族直链或支链烃基，M为核外电子排布为nd¹⁰(n+1)s²(n+1)p²的金属原子，X是卤族元素中的一种或几种的组合。

2.根据权利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述有机光敏层材料为p型，所述光敏功能层还包括第一n型半导体层，所述有机光敏层靠近所述发光薄膜组设置。

3.根据权利要求2所述的光耦器件，其特征在于，所述光敏功能层还包括设置在所述有机光敏层两侧的第二p型半导体层和第二n型半导体层，所述第二p型半导体层靠近所述发光薄膜组设置。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光耦器件，其特征在于，所述发光薄膜组为至少一个层叠设置的有机电致发光二极管，所述发光薄膜组进一步包括发光薄膜组的第一电极、发光功能层、发光薄膜组的第二电极。

5.根据权利要求4所述的光耦器件，其特征在于，所述发光薄膜组的色坐标为CIEx＝0.05～0.7、CIEy＝0.05～0.7。

6.根据权利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述电绝缘隔离层为氟聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷中的一种或多种堆叠形成的透明膜结构。

7.根据权利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述发光薄膜组与所述光敏薄膜组中靠近所述电绝缘隔离层的电极为相同或不同的透明电极。

8.根据权利要求1-3或5-7任一项所述的光耦器件，其特征在于，所述透明电极为锂、镁、钙、锶、铝、铟、铜、金、银中的一种或多种的合金，或锂、镁、钙、锶、铝、铟、铜、金、银中的一种或多种与其氟化物交替形成的电极层，或氧化铟锡、聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠、聚苯胺、碳纳米管、石墨烯中的一种。

9.一种权利要求1-8任一项所述的光耦器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板上形成发光薄膜组的第一电极，以及发光薄膜组的第二电极引脚、光敏薄膜组的第一电极引脚、光敏薄膜组的第二电极引脚；

S2、在所述发光薄膜组的第一电极上依次形成发光功能层、发光薄膜组的第二电极，所述发光薄膜组的第二电极与所述发光薄膜组的第二电极引脚电连接；

S3、在所述发光薄膜组的第二电极上直接形成透明的电绝缘隔离层；

S4、在所述电绝缘隔离层上直接形成光敏薄膜组的第一电极，所述光敏薄膜组的第一电极与所述光敏薄膜组的第一电极引脚电连接；

S5、在所述光敏薄膜组的第一电极上形成光敏功能层，所述光敏功能层与步骤S2中所述的发光功能层在所述基板的垂直方向上重合；

S6、在所述光敏功能层上直接形成覆盖所述光敏功能层的所述光敏薄膜组的第二电极，所述光敏薄膜组的第二电极与所述光敏薄膜组的第二电极引脚电连接。

10.一种权利要求1-8任一项所述的光耦器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板上形成光敏薄膜组的第二电极，以及光敏薄膜组的第一电极引脚、发光薄膜组的第一电极引脚、发光薄膜组的第二电极引脚；

S2、在所述光敏薄膜组的第二电极上依次形成光敏功能层、光敏薄膜组的第一电极，所述光敏薄膜组的第一电极与所述光敏薄膜组的第一电极引脚电连接；

S3、在所述光敏薄膜组的第一电极上直接形成透明的电绝缘隔离层；

S4、在所述电绝缘隔离层上直接形成发光薄膜组的第二电极，所述发光薄膜组的第二电极与所述发光薄膜组的第二电极引脚电连接；

S5、在所述发光薄膜组上形成发光功能层，所述发光功能层与步骤S2中限定的所述的光敏功能层在所述基板的垂直方向上重合；

S6、在所述发光功能层上直接形成覆盖所述发光功能层的所述发光薄膜组的第一电极，所述发光薄膜组的第一电极与所述发光薄膜组的第一电极引脚电连接。

11.根据权利要求9或10所述的光耦器件的制备方法，其特征在于，步骤S6之后还包括形成封装层，对所述光耦器件进行封装的步骤。