[发明专利]摄像装置和电子设备

说明书

一种摄像装置和电子设备。该摄像装置包括位于硅层上的：光电二极管，设置于每个像素以执行光电转换，从而根据光接收量产生电荷；浮置扩散部分，构造为存储光电二极管产生的电荷；以及晶体管，构造为以与浮置扩散部分中存储的电荷水平相对应的电压而输出像素信号，其中摄像装置还包括密封腔部分，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一。

技术领域

本技术涉及摄像装置以及包括该摄像装置的电子设备。

背景技术

近年来，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)的摄像装置已经广泛应用于数字照相机、数字摄影机、以及其他类似的设备。此类摄像装置可以构造为例如每个像素包括光电二极管和信号读出电路，该信号读出电路用于向外读出光电二极管获得的光电转换信号。该信号读出电路可以构造为例如包括转移晶体管、放大晶体管、复位晶体管和选择晶体管等(例如，见日本未审查专利申请公开No.2008-205022)。在某些情况下，这些晶体管可以由多个光电二极管共享。

为实现低照度特性可以比拟现有的超灵敏图像传感器的目的，所希望的是减少信号读出电路中的电容以提高摄像装置的转换效率。过去，例如，扩散元件隔离区可形成在FD(浮置扩散)部分的任一侧等等。

发明内容

但是，尽管形成了扩散元件隔离区，但是电容并未被实质性地减少，并且扩散层电容较大，导致转换效率没有显著地提高的问题。

所希望的是提供一种能够提高转换效率的摄像装置以及一种包括该摄像装置的电子设备。

根据本技术的实施例，提供了一种摄像装置。该摄像装置包括位于硅层上的：光电二极管，设置于每个像素以执行光电转换，从而根据光接收量产生电荷；浮置扩散部分，构造为存储光电二极管产生的电荷；以及晶体管，构造为以与浮置扩散部分中存储的电荷水平相对应的电压而输出像素信号，其中摄像装置还包括密封腔部分，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一。

根据本技术的实施例，提供了一种电子设备。该电子设备具有摄像装置和信号处理电路，信号处理电路构造为对将从摄像装置输出的像素信号执行预定的处理操作，摄像装置包括位于硅层上的：光电二极管，设置于每个像素以执行光电转换，从而根据光接收量产生电荷；浮置扩散部分，构造为存储光电二极管产生的电荷；以及晶体管，构造为以与浮置扩散部分中存储的电荷水平相对应的电压而输出像素信号，其中摄像装置还包括密封腔部分，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一。

在根据本技术实施例的摄像装置和电子设备中，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一。这保证了p-n结区不出现在浮置扩散部分下侧和晶体管的沟道体区域下侧的至少之一，使得扩散层电容减小。

在根据本技术实施例的摄像装置和电子设备中，密封腔部分位于硅层内并位于浮置扩散部分的下侧和晶体管的沟道体区域的下侧的至少之一，从而可以提高转换效率。

应理解，前面的总体描述和后面的详细描述二者都是示范性的，并且旨在对要求保护的技术方案提供进一步的解释。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图结合在说明书中且构成说明书一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。

图1是示出根据本技术第一个实施例的摄像装置的简化构造示例的示意性框图。

图2是示出图1所示的像素的电路构造示例的电路图。

图3是示出图1所示的像素的平面布局示例的示意图。

图4是示出图1所示的像素的部分截面构造示例的示意图。