[发明专利]一种双模式绝缘栅晶体管有效
| 申请号： | 201410287757.3 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104037208B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;高君宇 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双模 绝缘 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种双模式绝缘栅晶体管，其特征在于，包括逆导区和引导区；
所述逆导区和所述引导区均包括P+集电区，漂移区和MOS元胞区，所述漂移区均在所述P+集电区的上方，所述MOS元胞区均在所述漂移区的上方；
所述逆导区还包括N+集电区，所述N+集电区与所述P+集电区相间分布；
所述引导区还包括分离区，所述分离区将所述引导区的P+集电区与所述逆导区的P+集电区和所述N+集电区隔离；所述逆导区和所述引导区均还设置N+缓冲层，所述逆导区的N+缓冲层在所述逆导区的P+集电区或N+集电区和所述逆导区的漂移区之间，所述引导区的N+缓冲层在所述引导区的P+集电区和所述引导区的漂移区之间，所述引导区的分离区将所述逆导区的N+缓冲层和所述引导区的N+缓冲层隔离；所述分离区的下方还有一绝缘体区，所述绝缘体区位于硅衬底与集电极金属层之间，通过调整所述绝缘体区的宽度使所述引导区的N+缓冲层与集电极金属电位隔离；所述分离区为填充有绝缘体的沟槽。
2.根据权利要求1所述的双模式绝缘栅晶体管，其特征在于，所述引导区的N+缓冲层掺杂浓度小于所述逆导区N+缓冲层掺杂浓度。
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