[发明专利]同时刻蚀与钨掺杂的氧化钛纳米线阵列及其制备方法和应用

权利要求书

1.  同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：

 (1) 将水与浓酸混合0.1–0.5小时后，向其中加入钛源，搅拌状态下反应5–10 min，然后转移到反应釜中，将基底正面朝下放入釜内，140–180℃条件下反应4–20个小时；

(2) 将上述步骤制得的产物冲洗干净、吹干，于空气气氛中450–550℃温度条件下焙烧1–2小时，获得纯二氧化钛纳米线阵列；

(3) 将上述步骤制得的纯二氧化钛纳米线阵列置于盐酸羟胺、硫化钠和钨酸钠水溶液中，150-200℃条件下反应2-10个小时，即获得同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的浓酸为浓盐酸或硝酸。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的钛源是硫酸氧钛、硫酸钛、四氯化钛、四异丙醇钛、正丁醇钛、四乙胺基钛、四丙胺基钛或四丁胺基钛中的一种或多种。

4.如权利要求1、2或3所述的制备方法，其特征在于所述的基底是FTO玻璃，或旋涂有二氧化钛晶种的硅片或玻片。

5.由权利要求1-4之一制备方法制备得到的同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列，能利用太阳能光解水产生光电流同时制氢。

6.如权利要求5所述的同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列在制备太阳能电池中的应用。