[发明专利]一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构有效
| 申请号： | 201410288940.5 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037133B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郭洪岩;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆片级 芯片 封装 方法 及其 结构 | ||
1.一种圆片级芯片扇出封装方法，该方法包括：
取一硅晶圆，在所述硅晶圆上刻蚀若干个阵列排布的浅硅腔体；
在所述硅晶圆的上表面及浅硅腔体的表面设置介电层，再在所述介电层的表面选择性地设置再布线层Ⅰ；
在所述硅晶圆的上表面的再布线层Ⅰ上制备若干个金属凸块，所述金属凸块与再布线层Ⅰ固连；
将制备有芯片表面金属凸点的若干个待封装芯片倒装至所述浅硅腔体的底部，并与所述再布线层Ⅰ形成电气连接；
对制备有金属凸块和完成待封装芯片倒装的硅晶圆进行塑封，形成塑封体；
将所述塑封体的顶部进行研磨抛光，形成研磨面并露出金属凸块的上表面；
在塑封体的研磨面选择性地制备再布线层Ⅱ，所述再布线层Ⅱ与上述金属凸块的上表面固连；
在再布线层Ⅱ的表面设置钝化层，并形成若干个钝化层开口，所述钝化层开口内设置焊锡球；
将硅晶圆的下表面进行研磨减薄；
将上述完成封装的硅晶圆切割成单颗封装体。
2.如权利要求1所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述浅硅腔体的刻蚀深度为100微米到200微米。
3.如权利要求1所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：对制备有金属凸块和完成待封装芯片倒装的硅晶圆进行塑封前还包括步骤：用底填料对待封装芯片与浅硅腔体之间的空间进行填充。
4.如权利要求1所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：将所述塑封体的顶部进行研磨抛光，形成研磨面并露出金属凸块的上表面还包括步骤：通过激光烧蚀或刻蚀方法在金属凸块的上方开设塑封开口，露出金属凸块的上表面。
5.如权利要求1所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征方法：所述金属凸块和芯片表面金属凸点的材质为铜。
6.如权利要求5所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述金属凸块呈阵列排布。
7.如权利要求1至6中任一项所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述金属凸块的上表面高于待封装芯片的背面，其边界尺寸大于80微米。
8.如权利要求7所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述金属凸块的高度为50到100微米。
9.如权利要求1至5中任一项所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述芯片表面金属凸点的高度为15微米到35微米，其边界尺寸大于60微米。
10.如权利要求9所述的一种圆片级芯片扇出封装方法，其特征在于：所述芯片表面金属凸点呈阵列排布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
