[发明专利]内部电压产生装置

说明书

本发明提供一种内部电压产生装置。该内部电压产生装置中，稳压单元侦测内部电压是否低于临界电压，当内部电压低于临界电压时，输出第一电源焊垫所提供的补偿电流给与第二电源焊垫连接的第二电源导线，以稳定内部电压产生装置所提供的内部电压。

技术领域

本发明涉及一种电子装置，且特别涉及一种内部电压产生装置。

背景技术

随着半导体技术的进步，晶片内部的电源导线越来越长且越来越细，进而造成严重的电压降(IR drop)问题，严重的电压降将影响电子装置的正常运作，例如应用在存储器时可造成存储器数据流失，亦或是应用在显示装置时可造成显示面板画面亮度不均的问题。

以低功率双倍数据速率(Low Power Double Data Rate,LPDDR)的动态随机存取存储器(DRAM)为例，其外部电压供给只有1.8V，晶片内部的电压都会通过稳压器来产生。以图1所示的内部电压产生装置为例，电源焊垫P0提供的电源电压VDD(1.8V)虽然会因经过内部电源导线的电压降而降为VDD_local(1.6V)，然而在通过晶体管Q1、操作放大器OP0所构成的稳压器后，仍可产生稳定的内部电压VINT(1.2V)。

而到了低功率第二代双倍数据速率(LPDDR2)的动态随机存取存储器，由于外部电压新增了1.2V，可不需要额外的稳压器来降压，使用上虽更为方便，但是内部本地电源(local power)的电压降却变得更难以消除。以图2所示的内部电压产生装置为例，虽然该装置可具有双电源(dual-power)供应(其中电源焊垫PA提供电源电压VDDA，电源焊垫PB则提供另一电源电压VDDB(1.2V))，但仍会因电压降的效应使得由电源电压VDDB提供的内部电压VINT降为1.0V，进而导致电子装置操作产生异常。

发明内容

本发明提供一种内部电压产生装置，可提供稳定的内部电压给应用内部电压产生装置的电子装置。

本发明的内部电压产生装置，包括第一电源焊垫、第二电源焊垫以及稳压单元。其中第一电源焊垫提供补偿电流。稳压单元分别通过第一电源导线与第二电源导线耦接至第一电源焊垫与第二电源焊垫，其中第二电源焊垫通过电源导线输出内部电压，稳压单元侦测内部电压是否低于临界电压，当内部电压低于临界电压时，输出补偿电流至电源导线，以稳定内部电压。

在本发明的一实施例中，上述的稳压单元还被致能信号致能而开始侦测内部电压。

在本发明的一实施例中，上述的稳压单元包括临界电压产生单元、操作放大器、第一功率晶体管以及第二功率晶体管。其中临界电压产生单元依据第二电源焊垫所提供的电源电压产生临界电压。操作放大器的正、负输入端分别耦接临界电压产生单元与第二电源导线。第一功率晶体管的栅极接收导通电压。第二功率晶体管与第一功率晶体管串接于第一电源导线与第二电源导线之间，第二功率晶体管的栅极耦接操作放大器的输出端。

在本发明的一实施例中，上述的操作放大器还被致能信号所致能。

在本发明的一实施例中，上述的稳压单元还包括反向器，其输入端接收该第一电源焊垫所提供的电源电压，反向器的输出端耦接第一功率晶体管的栅极。

在本发明的一实施例中，上述的临界电压产生单元包括第一分压电阻以及第二分压电阻。第二分压电阻与第一分压电阻串接于第二电源焊垫与接地之间，分压第二电源焊垫所提供的电源电压而产生临界电压。

在本发明的一实施例中，上述的第一功率晶体管为P型功率晶体管，第二功率晶体管为N型功率晶体管。

在本发明的一实施例中，上述的内部电压产生装置还包括静电放电保护单元，其耦接于第一电源焊垫与第二电源焊垫之间。

基于上述，本发明的实施例通过稳压单元侦测内部电压是否低于临界电压，当内部电压低于临界电压时，输出第一电源焊垫所提供的补偿电流给与第二电源焊垫连接的第二电源导线，以稳定内部电压产生装置所提供的内部电压。