[发明专利]一种PNiN结构晶闸管激光器在审
| 申请号： | 201410289510.5 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104051961A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨松 | 申请（专利权）人： | 南京青辰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pnin 结构 晶闸管 激光器 | ||
1.一种PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，该晶闸管激光器由依次层叠的N型电极层(1)、N型衬底(2)、N型缓冲层(3)、N型限制层(4)、无掺杂有源区层(5)、N型反型层(6)、P型限制层(7)、P型接触层(8)和P型电极层(9)组成，所述N型反型层(6)由GaAs和AlGaAs材料构成。
2.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型衬底(2)由GaAs材料构成，所述N型缓冲层(3)由GaAs材料构成。
3.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型限制层(4)中的AlAs的组分为0.3～0.7的固定值。
4.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型限制层(4)中的AlAs的组分是变化范围为0.3～0.7的线性渐变值。
5.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型限制层(4)厚度设置在500nm～3000nm之间。
6.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述无掺杂有源区层(5)由III-V组材料构成。
7.如权利要求6所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述无掺杂有源区层(5)包括1～10个量子阱，量子阱材料为InGaAs或GaAs或AlGaAs，垒的材料是AlGaAs或GaAs。
8.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型反型层(6)由GaAs和AlGaAs材料构成。
9.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型反型层(6)中的AlAs的组分为0.3～0.7的固定值。
10.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述N型反型层(6)厚度设置在10nm～400nm之间。
11.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型限制层(7)由AlGaAs材料构成。
12.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型限制层(7)中的AlAs的组分为0.3～0.7的固定值。
13.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型限制层(7)中的AlAs的组分是变化范围为0.3～0.7的线性渐变值。
14.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型限制层(7)厚度设置在500nm～3000nm之间。
15.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型接触层(8)由GaAs材料构成。
16.如权利要求1所述的PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，所述P型接触层(8)厚度设置在100nm～500nm之间。
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