[发明专利]离子注入的监控方法有效
| 申请号： | 201410289586.8 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091767B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 田慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 监控 方法 | ||
1.一种离子注入的监控方法，其特征在于，包括：
a、提供监控片，并在所述监控片上形成部分覆盖的掩膜层；
b、进行离子注入制程，对所述监控片进行预定剂量的杂质离子注入，所述监控片上未被所述掩膜层覆盖区域为杂质注入区域，所述监控片上被所述掩膜层覆盖区域为杂质未注入区域；
c、剥离所述监控片上的掩膜层；
d、对所述监控片进行氧化处理；
e、分别测试所述监控片上所述杂质注入区域和所述杂质未注入区域的氧化层厚度，根据所述杂质注入区域和所述杂质未注入区域的氧化层厚度比值，监测离子注入的杂质剂量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d具体为：
在高温退火炉中进行对所述监控片进行氧化处理。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤d中，
氧化处理的温度为800～1000℃，氧化处理的时间为1～2h，氧气的流量为400～500ml/min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤e中，
采用变角X射线光电子能谱的方法测试所述杂质注入区域和所述杂质未注入区域的氧化层厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，
离子注入的杂质离子为B+，或者P+，或者As+。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层；步骤a中，
通过在所述监控片上涂覆光刻胶再经光刻的方法，形成所述掩膜层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述监控片上所述掩膜层覆盖区域与未覆盖区域的面积比值为1：1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
