[发明专利]一种钼磷酸氟钾化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种钼磷酸氟钾化合物，其化学式为K₉Mo₄P₄O₂₆F。

2.权利要求1所述钼磷酸氟钾化合物的制备方法，其特征在于，采用固相合成方法在高温下烧结来获得；

包括如下步骤：将K₂HPO₄、MoO₃、KF按照2-6:2-6:1的摩尔比混合并研磨后，升温至400-600℃，烧结20h以上即得。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述K₂HPO₄、MoO₃、KF的摩尔比为4:4:1。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烧结的温度为500℃。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烧结时间为48h。

6.一种权利要求1所述的钼磷酸氟钾的非线性光学晶体，其特征在于，不具有对称中心，属于四方晶系，空间群为I-4c2，晶胞参数Z＝4，单胞体积为

7.一种权利要求6所述非线性光学晶体的生长方法，其特征在于，采用助熔剂自发成核生长方法，包括如下步骤：

将K₉Mo₄P₄O₂₆F:KNO₃:KF按摩尔比1:2～10:0.5～3混合，置于单晶生长炉中400-650℃熔融，使熔体充分熔解；将熔体在生长炉中恒温400-650℃，持续10h以上，然后降至饱和温度之上0.5-5℃，开始降温生长，生长5-10天；待物料冷却至室温后，洗涤，得到所述晶体。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述混合物料在单晶生长炉中熔融的温度为550℃。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述熔体在生长炉中恒温处理的温度为550℃。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述熔体在生长炉中恒温处理的时间为20h。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述恒温处理后降至饱和温度之上2℃。

12.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述降温生长的速率为0.1-5℃/天，降温的区间为10-30℃。

13.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述降温生长的速率为0.5-3℃/天；降温的区间为20℃。

14.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述洗涤使用去离子水进行。

15.一种权利要求6所述非线性光学晶体的生长方法，其特征在于，采用助熔剂顶部籽晶生长方法，包括如下步骤：

将K₉Mo₄P₄O₂₆F:KNO₃:KF按摩尔比1:2～10:0.5～3混合；置于单晶生长炉中400-650℃熔融，使熔体充分熔解；将熔体在生长炉中恒温400-650℃，持续10h以上，然后降至饱和温度之上0.5-5℃，把装在籽晶杆上的籽晶放入熔体中，同时旋转籽晶杆，降温至饱和温度，再缓慢降温至饱和温度下10-30℃；降温结束后，将所得晶体提离液面，然后降至室温得到所述晶体。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述混合物料在单晶生长炉中熔融的温度为550℃。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述熔体在生长炉中恒温处理的温度为550℃。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述熔体在生长炉中恒温处理的时间为20h。

19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述恒温处理后降至饱和温度之上2℃。

20.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述降温生长的速率为0.1-5℃/天，降温的区间为10-30℃。