[发明专利]一种量子阱结构的宽谱激光器

权利要求书

1.一种量子阱结构的宽谱激光器，其特征在于，该宽谱激光器由依次层叠的N型电极层(1)、N型衬底(2)、N型缓冲层(3)、第一N型重掺杂层(4)、第一无掺杂量子阱有源区层(5)、第二N型重掺杂层(6)、第二无掺杂量子阱有源区层(7)、P型重掺杂层(8)、P型接触层(9)和P型电极层(10)组成，所述第一N型重掺杂层(4)由AlGaAs材料构成。 

2.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述N型衬底(2)由GaAs材料构成，所述N型缓冲层(3)由GaAs材料构成。 

3.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第一N型重掺杂层(4)中的AlAs的组分为0.4～0.6的固定值。 

4.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第一N型重掺杂层(4)中的AlAs的组分是变化范围为0.3～0.6的线性渐变值。 

5.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第一N型重掺杂层(4)厚度设置在800nm～2500nm之间。 

6.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第一无掺杂有源区层(5)和第二无掺杂有源区层(7)由III-V组材料构成。 

7.如权利要求6所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第一无掺杂量子阱有源区层(5)和第二无掺杂量子阱有源区层(7)均包括1～6个量子阱，量子阱材料为InGaAs或GaAs，垒的材料是AlGaAs或GaAs。 

8.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第二N型重掺杂层(6)由GaAs或AlGaAs材料构成。 

9.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第二N型重掺杂层(6)中的AlAs的组分为0.4～0.6的固定值。 

10.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第二N型重掺杂层(6)中的AlAs的组分是变化范围为0.3～0.6的线性渐变值。 

11.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述第二N型重掺杂层(6)厚度设置在30nm～400nm之间。 

12.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述P型重掺杂层(8)由AlGaAs材料构成。 

13.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述P型重掺杂层(8)中的AlAs的组分为0.4～0.6的固定值。 

14.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述P型重掺杂层(8)中的AlAs的组分是变化范围为0.3～0.6的线性渐变值。 

15.如权利要求1所述的量子阱结构宽谱激光器，其特征在于，所述P型重掺杂层(8)厚度设置在800nm～2500nm之间。