[发明专利]基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器

权利要求书

1.一种基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，包括衬底、Al₂O₃薄膜和Pt金属电极，Al₂O₃薄膜设于衬底上，Pt金属电极设于Al₂O₃薄膜上，其中衬底为ITO导电玻璃为材料的衬底。

2.根据权利要求1所述的基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，所述Pt金属电极为点电极。

3.根据权利要求1所述的基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，所述Al₂O₃薄膜为多晶薄膜。

4.根据权利要求1所述的基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，通过分子束外延法在ITO导电玻璃上形成Al₂O₃薄膜。

5.根据权利要求4所述的基于Al₂O₃薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，采用分子束外延法制备形成Al₂O₃薄膜的具体条件是：使以ITO导电玻璃为材料的衬底处于室温，生长气压控制在10^-3Pa，用源射频离子体发生器产生离子体，蒸发出铝原子；使铝原子和离子体在以ITO导电玻璃为材料的衬底表面上相互作用，生成Al₂O₃，生长时间为2小时。