[发明专利]一种电压调整器的电路

权利要求书

1.一种电压调整器的电路，其特征在于，所述电路包括电压输入端、变压单元、反馈控制单元、泄压单元以及电压输出端，其中：

所述变压单元包括至少三个PMOS管，每个所述PMOS管的源极均与所述电压输入端的正极相连，所述每个PMOS管的漏极均与所述电压输出端的正极相连，所述反馈控制单元的输入端与所述电压输出端的正极相连，所述反馈控制单元包括数字控制器，所述数字控制器的输出端与所述变压单元的受控端相连，所述数字控制器的输出端的端口个数不少于所述PMOS管的个数，所述每个PMOS管的栅极与所述数字控制器的输出端的对应端口相连，所述泄压单元的第一端与所述电压输出端的正极相连，所述泄压单元的第二端与所述电压输出端的负极相连，所述泄压单元的第三端与所述反馈控制单元的输出端相连；

所述反馈控制单元用于在所述电压输出端的正极的输出电压高于或低于预设阈值时对应地降低或升高所述变压单元的压降以稳定所述电压输出端的正极的输出电压，所述泄压单元包括开关管、第一滤波电容和等效电阻，所述反馈控制单元还用于在所述电压输出端的正极的输出电压跳变时，所述反馈控制单元的输出端的输出电压增大，所述开关管的栅极的电压将大于所述开关管的开启电压，进而导通所述开关管，在所述开关管导通时所述第一滤波电容和所述等效电阻构成的滤波网络用于滤除所述电压输出端的正极的杂波。

2.如权利要求1所述的电压调整器的电路，其特征在于，所述开关管是NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道MOS)管，其中：

所述开关管的漏极与所述电压输出端的正极相连，所述开关管的源极分别与所述第一滤波电容的第一端和所述等效电阻的第一端相连，所述开关管的栅极与所述反馈控制单元的输出端相连，所述电压输出端的负极分别与所述第一滤波电容的第二端和所述等效电阻的第二端相连。

3.如权利要求1所述的电压调整器的电路，其特征在于，所述电路还包括滤波单元，所述滤波单元的第一端与所述电压输出端的正极相连，所述滤波单元的第二端与所述电压输出端的负极相连；

所述滤波单元用于滤除所述电压输出端的正极的杂波。

4.如权利要求3所述的电压调整器的电路，其特征在于，所述滤波单元包括第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端与所述电压输出端的正极相连，所述第二滤波电容的第二端与所述电压输出端的负极相连。

5.如权利要求1所述的电压调整器的电路，其特征在于，所述反馈控制单元包括第一分压电阻、第二分压电阻以及误差放大器，其中：

所述第一分压电阻的第一端与所述电压输出端的正极相连，所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端相连，所述第二分压电阻的第二端与所述电压输出端的负极相连，所述误差放大器的正输入端与所述第一分压电阻的第二端相连，所述误差放大器的负输入端接入第一参考电压，所述误差放大器的输出端分别与所述变压单元的受控端和所述泄压单元的第三端相连。

6.如权利要求5所述的电压调整器的电路，其特征在于，所述变压单元包括P-Power-MOSFET(Positive channel-Power-Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，P沟道功率MOS场效应晶体)管，其中，所述P-Power-MOSFET管的源极与所述电压输入端的正极相连，所述P-Power-MOSFET管的漏极与所述电压输出端的正极相连，所述P-Power-MOSFET管的栅极与所述误差放大器的输出端相连。

7.如权利要求6所述的电压调整器的电路，其特征在于，

当所述电压输出端的正极的输出电压高于预设阈值时，所述误差放大器的正输入端的电压和所述第一参考电压的差值增大，进而所述误差放大器的输出端的输出电流减小，所述P-Power-MOSFET管的源极和漏极的压降增大，进而所述电压输出端的正极的输出电压减小；

当所述电压输出端的正极的输出电压低于预设阈值时，所述误差放大器的正输入端的电压和所述第一参考电压的差值减小，进而所述误差放大器的输出端的输出电流增大，所述P-Power-MOSFET管的源极和漏极的压降减小，进而所述电压输出端的正极的输出电压增大。