[发明专利]无缝塑模的制造方法

权利要求书

1.一种无缝塑模的制造方法，其具备：通过在套筒形状的塑模上形成蚀刻层和热反应型抗蚀剂层的工序，和使用半导体激光曝光，显影曝光部分，显影后蚀刻，再除去热反应型抗蚀剂层形成微细塑模图样的工序，其特征是，

所述热反应型抗蚀剂层由在上述激光点径中具有温度分布的热反应型抗蚀剂所构成，

所述温度分布含有所述热反应型抗蚀剂在规定的温度以上进行反应的区域；

该抗蚀剂为通过曝光产生相变化或化学反应的类型。

2.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述热反应型抗蚀剂为有机抗蚀剂或者无机抗蚀剂。

3.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述热反应型抗蚀剂由选自过渡金属和XII族～XV族的元素的不完全氧化物构成，并且，该元素的主要氟化物的沸点在200℃以上。

4.如权利要求3所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述过渡金属是选自Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Rh、Ag、Hf、Ta以及Au的元素。

5.如权利要求3或者4所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述XII族～XV族元素是选自Al、Zn、Ga、In、Sn、Sb、Pb以及Bi的元素。

6.如权利要求3所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述过渡金属是选自Ti、Cr、Mn、Co、Cu、Nb、Ag、Ta以及Au的元素，并且所述XII族～XV族元素是选自Sn、Pb以及Bi的元素。

7.如权利要求2所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述蚀刻层的材料选自Si、Ta以及它们的氧化物、氮化物和碳化物。

8.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层的膜厚在套筒周内变动幅度在±20nm以下。

9.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层至少由2层构成。

10.如权利要求2所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，进一步具有形成热吸收层的工序，形成所述热吸收层的工序是在所述蚀刻层上形成热反应型抗蚀剂层之前，在所述蚀刻层上或者下形成热吸收层的工序。

11.如权利要求2所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，在所述套筒形状的塑模上形成蚀刻层之前，还具备在所述套筒形状的塑模上形成热绝缘层的工序。

12.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，进一步具有形成热吸收层的工序，形成所述热反应型抗蚀剂层、蚀刻层、热吸收层任意一层的方法为溅射法、蒸镀法或者CVD法。

13.如权利要求1所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，使用上述激光进行曝光时，上述激光的光束形状为椭圆形。

14.如权利要求2所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，蚀刻上述蚀刻层时，使用干燥蚀刻装置，该干燥蚀刻装置的特征是，在真空槽中配置有套筒形状的塑模和位于该塑模表面相对位置上的相对电极。

15.如权利要求14所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，该相对电极的形状选自圆筒状、平行平板状、圆弧状的任一形状。

16.如权利要求14或者15所述的无缝塑模的制造方法，其特征是，该套筒形状的塑模具有以中心轴为中心旋转的功能。

17.一种制造表面上具有微细凹凸图样、无缝连续的薄膜的方法，其特征是，通过权利要求1~14中任一项所述的无缝塑模的制造方法制造无缝塑模，用所述无缝塑模制造薄膜。

18.如权利要求17所述的方法，是制造表面上具有1μm以下的微细形状图样、无缝连续的薄膜的方法。