[发明专利]一种超级电容串联均压电路有效
申请号: | 201410290795.4 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104052123A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 赵凯岐;齐志远;王宇超;傅荟璇;刘胜;张强 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超级 电容 串联 压电 | ||
1.一种超级电容串联均压电路,包括全桥逆变器、电压乘法器和变压器,全桥逆变器的输入和电压乘法器的输出相连接,其特征在于:全桥逆变器包括第一~第四全控型器件(Q1~Q4),四个电容(C1~C4)、四个二极管(DQ1~DQ4),第一~第四全控型器件(Q1~Q4)构成全桥逆变器的四个桥臂,每个全控型器件分别并联一个二极管和一个电容,第一全控型器件(Q1)的源极与第五电容(Cbk)的1端相连,第五电容(Cbk)的2端串联一个第一电感(LKg)后与变压器初级绕组的1端相连,变压器初级绕组的2端与第四全控型器件(Q4)的漏极相连,变压器初级绕组的1端和2端之间并联一个第二电感(Lmg),变压器次级绕组的3端和4端与电压乘法器相连。
2.根据权利要求1所述的一种超级电容串联均压电路,其特征在于:所述的电压乘法器包括第一~第四超级电容(SC1~SC4),第一超级电容(SC1)的阳极分别与第二超级电容(SC2)的阴极、第六二极管(D2)的阴极、第七二极管(D3)的阳极相连,第一超级电容(SC1)的阴极分别与第五二极管(D1)的阳极、第四全控型器件(Q4)的源极连接;第二超级电容(SC2)的阳极分别与第三超级电容(SC3)的阴极、第八二极管(D4)的阴极、第九二极管(D5)的阳极相连;第三超级电容(SC3)的阳极分别与第十二极管(D6)的阴极、第十一二极管(D7)的阳极、第四超级电容(SC4)的阴极相连;第四超级电容(SC4)的阳极分别与第十二二极管(D8)的阴极、第二全控型器件(Q2)的漏极相连;第六电容(C1)的1端、第七电容(C2)的1端、第八电容(C3)的1端、第九电容(C4)的1端均与变压器次级绕组的4端相连,变压器次级绕组的3端分别与第八二极管(D4)的阴极、第九二极管(D5)的阳极、第二超级电容(SC2)的阳极相连,第六电容(C1)的2端分别与第五二极管(D1)的阴极、第六二极管(D2)的阳极相连,第七电容(C2)的2端分别与第七二极管(D3)的阴极、第八二极管(D4)的阳极相连,第八电容(C3)的2端分别与第九二极管(D5)的阴极、第十二极管(D6)的阳极相连,第九电容(C4)的2端分别与第十一二极管(D7)的阴极、第十二二极管(D8)的阳极相连。
3.根据权利要求1或2所述的一种超级电容串联均压电路,其特征在于:所述的全控型器件为N沟道PMOSFET或IGBT。
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