[发明专利]一种桂花的扦插繁殖方法在审
申请号: | 201410291921.8 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN104041297A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 殷峰 | 申请(专利权)人: | 殷峰 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 吕书桁 |
地址: | 210043 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 桂花 扦插 繁殖 方法 | ||
技术领域
本发明是花卉的种植方法,具体来说涉及一种桂花的扦插繁殖方法。
背景技术
桂花,又叫岩桂、木犀或桂花树,属于木犀科木犀属,常绿灌木或小乔木。桂花性喜温暖,湿润。能耐-13℃低温,最适生长温度为是15-28℃。宜在土层深厚、肥沃,排水透气良好,富含腐殖质的偏酸性砂质土壤中生长,桂花的繁殖多采用播种、压条、嫁接的方式,上述方式因其技术较为复杂,不利于传播和掌握,因此一直不能为广大花农所接受,为了更好的对桂花进行种植和培育,因此急需一种全新的繁殖技术来解决上诉的难题。
本发明正是针对现有技术中存在的技术问题,提供一种桂花的扦插繁殖方法,该方法操作简单,成本低廉,本发明采用了桂花扦擂繁殖的技术方法,使其具有繁殖数量多、生长速度快、成活率高和成本低的优点。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下,一种桂花的扦插繁殖方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤
1)桂花扦插繁殖以五六月份最宜,桂花的适生根温度为25℃—28℃,如温度过低,应覆盖塑料薄膜,增加阳光,提高苗床温度。如温度过高,应注意遮荫,并揭起塑料膜一角通风降温或喷雾降温;
2)桂花扦插基质要求疏松透气透气、排水透气良好、含腐殖质高的PH酸性土或砂质土,最好用蛭石,苗床四周应留通道,开好排水透气沟,插前土壤要消毒,苗床上设一个高度45cm的塑料拱棚,以保湿并防淋雨积水。棚上再搭一个高约1.6m的遮荫棚;
3)插穗的采取应在早晚或荫天进行,避免高温插穗;
4)插穗下端蘸ABT生根粉或用200ppm至500ppm吲哚丁酸浸泡5分钟至10分钟,入土2/3,株行距6×6cm。插后浇透水,然后盖上塑料薄膜;
5) 桂花扦插初期荫棚遮荫度保持在80%左右,这样既防止强光直晒,又保证有足够的散射阳光,以利带叶插穗进行光合作用,有利于生根,扦插10天后,叶喷化肥一次以保证营养。
作为本发明的一种改进,所述步骤3中插穗的采取具体方法为,选用半木质化桂花茎枝,剪成10cm至12cm长,下端紧靠节下削成马蹄形,上端留2个至3个花叶。
作为本发明的一种改进,所述步骤5中叶喷化肥的种类可以选择0.2%的磷酸二氢钾或0.5%的过磷酸钙和0.1%的尿素溶液。
相对于现有技术,本发明的优点如下,1)采用本发明所述的桂花的扦插繁殖方法,具有繁殖数量多、生长速度快、成活率高和成本低的优点2)桂花扦插繁殖土地利用率高,技术容易掌握,萦殖系数高,幼苗成活率大,而且能保持母树品种的优良特性,适于大规模的商品苗木生产。
具体实施方式
为了加深对本发明的理解和认识,下面结合具体实施方式对本发明做出进一步的说明和介绍。
实施例1:
一种桂花的扦插繁殖方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤,
1)桂花扦插繁殖以五六月份最宜,桂花的适生根温度为25℃—28℃,如温度过低,应覆盖塑料薄膜,增加阳光,提高苗床温度。如温度过高,应注意遮荫,并揭起塑料膜一角通风降温或喷雾降温;
2)桂花扦插基质要求疏松透气透气、排水透气良好、含腐殖质高的PH酸性土或砂质土,最好用蛭石,苗床四周应留通道,开好排水透气沟,插前土壤要消毒,苗床上设一个高度45cm的塑料拱棚,以保湿并防淋雨积水。棚上再搭一个高约1.6m的遮荫棚;
3)插穗的采取应在早晚或荫天进行,避免高温插穗;
4)插穗下端蘸ABT生根粉或用200ppm至500ppm吲哚丁酸浸泡5分钟至10分钟,入土2/3,株行距6×6cm。插后浇透水,然后盖上塑料薄膜;
5) 桂花扦插初期荫棚遮荫度保持在80%左右,这样既防止强光直晒,又保证有足够的散射阳光,以利带叶插穗进行光合作用,有利于生根,扦插10天后,叶喷化肥一次以保证营养。
作为本发明的一种改进,所述步骤3中插穗的采取具体方法为,选用半木质化桂花茎枝,剪成10cm至12cm长,下端紧靠节下削成马蹄形,上端留2个至3个花叶。
作为本发明的一种改进,所述步骤5中叶喷化肥的种类可以选择0.2%的磷酸二氢钾或0.5%的过磷酸钙和0.1%的尿素溶液。
需要说明的是上述实施例仅仅是本发明的较佳实施例,并没有用来限定本发明的保护范围,在上述基础上所作出的等同替换或者替代均属于本发明的保护范围,本发明的保护范围以权利要求书为准。
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