[发明专利]一种射频开关组件

说明书

技术领域

本发明涉及开关组件技术领域，更具体涉及一种射频开关组件。

背景技术

收发开关组件广泛应用于民用、军用及特殊领域中，它是无线通信中必不可少的关键部件；目前主要实现方式还是以分立元件的形式实现，这就造成了收发组件体积大、功耗大、使用不方便等不利因素。

传统的收发开关一般采用PIN管串/并联结构，其实现原理图如图1所示，其工作原理为PIN1、PIN2为串联发支路的开关，PIN5、PIN6为并联到地发支路的开关；PIN3、PIN4为串联收支路的开关，PIN7、PIN8为并联到地收支路的开关；当信号发射时PIN1、PIN2导通，PIN5、PIN6截止，同时收支路中PIN3、PIN4截止，PIN7、PIN8导通将泄露信号导通到地，从而可以提高射频开关的隔离度。结合图1的电路结构可以看出,传统的收发开关电路采用PIN管实现,其开关隔离度主要由PIN管的截止时的电路参数决定,一般在20dBc,隔离度不高。其次这种电路实现结构复杂,且电路工作还需要较复杂的驱动电路，这就造成收发开关组件体积大、功耗大，不能与其它功能模块集成。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何提高开关组件的隔离度，同时简化电路结构。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种射频开关组件，所述一种射频开关组件包括发射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55；所述通道11包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道22包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道44包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道55包括NMOS管M4以及电感L4；

所述NMOS管M1的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vct1连接；所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端33连接；所述公共端33连接天线；所述电感L1并联在所述NMOS管M1的两端；所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接；所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接；所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端；所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地；所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端；所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。

优选地，所述控制电压Vct2与控制电压Vct1相位相反。

优选地，所述电感L1、L2、L3、L4均为蛇形电感。

(三)有益效果

本发明提供了一种射频开关组件，通过在NMOS管上并联电感，使电感与NMOS射频开关的等效寄生电容形成并联谐振，从而大大提高了射频链路之间的隔离度，另外，该电路结构简单，功耗小、电路集成度高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为传统的收发开关的电路结构示意图；

图2为本发明的一种射频开关组件的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。

图2为本发明的一种射频开关组件的电路结构示意图；所述一种射频开关组件包括发射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55；所述通道11包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道22包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道44包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道55包括NMOS管M4以及电感L4。