[发明专利]一种无需搭桥的投射式电容屏及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410293012.8 申请日: 2014-06-25
公开(公告)号: CN104049825B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 向火平 申请(专利权)人: 四川点燃科技有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 张秋红
地址: 644000 四川省宜宾市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 无需 搭桥 投射 电容 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种无需搭桥的投射式电容屏,其特征在于:包括玻璃基板(1)、设置于所述玻璃基板(1)的第一消影层(2)、设置于所述第一消影层(2)的第一ITO层(3)、设置于所述第一ITO层(3)上方的第二消影层(4)和设置于所述第二消影层(4)上方的第二ITO层(5);

所述第一消影层(2)包括先后叠加在所述玻璃基板(1)上的五氧化二铌层或者氮氧化硅和二氧化硅层;所述第二消影层(4)可以包括先后叠加在所述第一ITO层(3)上的五氧化二铌层或者氮氧化硅和二氧化硅层;

所述第一ITO层(3)包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层,所述第二ITO层(5)包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层;所述无需搭桥的投射式电容屏还包括设置于所述X轴电极层边缘的、与所述X轴电极层相连的X金属线(7)和设置于所述Y轴电极层边缘的、与所述Y轴电极层相连的Y金属线(8),所述X金属线(7)与所述Y金属线(8)分别与柔性线路板相连。

2.根据权利要求1所述的无需搭桥的投射式电容屏,其特征在于:所述玻璃基板(1)的边缘设有边框防护层(6)。

3.一种权利要求1或2所述无需搭桥的投射式电容屏的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1:在玻璃基板上制作第一消影层(2);

所述步骤S1包括:

S11:对所述玻璃基板(1)进行清洗并热烘干燥;

S12:在真空条件,在所述玻璃基板(1)的一面上采用溅射方式镀五氧化二铌或者氮氧化硅;

S13:在真空条件下,在镀有五氧化二铌或者氮氧化硅的一面采用溅射方式镀二氧化硅,以完成第一消影层(2)的制作;

S2:在第一消影层(2)上制作第一ITO层(3),所述第一ITO层(3)包括由若干X轴方向电极形成的X轴电极层;并在所述X轴电极层的边缘制作与所述X轴电极层相连的X金属线(7);

S3:在第一ITO层(3)上制作第二消影层(4);

所述步骤S3包括:

S31:对所述第一ITO层(3)进行清洗并热烘干燥;

S32:在真空条件,在所述第一ITO层(3)的一面上采用溅射方式镀五氧化二铌或者氮氧化硅;

S3:在真空条件下,在镀有五氧化二铌或者氮氧化硅的一面采用溅射方式镀二氧化硅,以完成第二消影层(4)的制作;

S4:在第二消影层(4)上制作第二ITO层(5),所述第二ITO层(5)包括由若干Y轴方向电极形成的Y轴电极层;并在所述Y轴电极层的边缘制作与所述Y轴电极层相连的Y金属线(8);

S5:使用蚀刻膏将X金属线与柔性线路板绑定的地方蚀刻出来;

S6:将X金属线(7)绑定至柔性线路板上,并将Y金属线(8)绑定至柔性线路板上。

4.根据权利要求3所述的无需搭桥的投射式电容屏的制作方法,其特征在于:所述步骤S1之前还包括步骤S0:在玻璃基板(1)的边缘上采用丝印工艺或黄光工艺制作边框防护层(6)。

5.根据权利要求4所述的无需搭桥的投射式电容屏的制作方法,其特征

在于:所述步骤S2包括:

S21:在真空条件下,采用溅射方式在第一消影层(2)上镀氧化铟锡层;

S22:在真空条件下,采用溅射方式在镀有氧化铟锡层的一面镀金属层,所述金属层设置在边框防护层(6)上;在所述金属层上采用覆膜方式覆上干膜,使用光罩曝光X金属线(7)的图案;使用显影剂将曝光的X金属线(7)显影,并使用不与干膜反应的退镀液退镀所述金属层,以制得所述X金属线(7);

S23:在制得X金属线(7)的玻璃基板(1)上覆上干膜,使用光罩曝光由若干X轴方向电极形成X轴电极层的图案;所述X金属线(7)与所述X轴电极层相连;

S24:使用显影剂将X轴电极层的图案显影,采用蚀刻液对氧化铟锡层进行蚀刻;

S25:采用去墨液将干膜去除,清洗并干燥,以制得X轴电极层。

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