[发明专利]一种热盘工艺密闭腔自动调整装置有效
申请号: | 201410293319.8 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN105321838B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 王丽鹤 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工艺 密闭 自动 调整 装置 | ||
1.一种热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:包括驱动机构(1)、盘盖升降机构(2)、盘盖、密封环(7)、下密封体(8)、盘体(9)及底板(10),其中驱动机构(1)和下密封体(8)安装在底板(10)上,所述盘体(9)设置于下密封体(8)内,所述盘盖设置于下密封体(8)的上端,所述盘体(9)的上表面及侧面分别与盘盖和下密封体(8)之间形成相互连通的第一工艺腔室(a)和第二工艺腔室(c),所述盘盖下端面的外缘上沿周向设有自调整腔体(b),所述下密封体(8)的上端外缘沿周向设有凹槽,所述密封环(7)一端容置于该自调整腔体(b)内、并端部沿径向设有延伸部,密封环(7)的另一端从自调整腔体(b)内伸出、并与下密封体(8)上端的凹槽配合连接,所述盘盖上设有工艺进气口(e)和将外部气源与自调整腔体(b)连通的调整进气口(d),所述下密封体(8)上设有与第二工艺腔室(c)连通的工艺废气排出口(f),所述盘盖升降机构(2)的一端与驱动机构(1)连接,另一端与盘盖连接。
2.按权利要求1所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述盘盖包括密封盖(5)和外密封固定环(6),所述外密封固定环(6)套设于密封盖(5)的外部、并与密封盖(5)之间形成所述的自调整腔体(b),所述密封盖(5)与盘盖升降机构(2)连接,所述工艺进气口(e)和调整进气口(d)设置于密封盖(5)上。
3.按权利要求2所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述自调整腔体(b)的上、下方设有位于密封盖(5)与外密封固定环(6)之间的密封圈(3)。
4.按权利要求2所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述工艺进气口(e)设置于密封盖(5)的中心位置,所述密封盖(5)的内表面为由中心向边缘逐渐向下倾斜的斜面。
5.按权利要求1所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述密封环(7)的纵剖面为“T”型结构、并下端与下密封体(8)上的凹槽为锥面配合。
6.按权利要求1或2所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述盘盖升降机构(2)与盘盖连接的另一端为水平放置的“U”型结构,所述水平放置的“U”型结构的上侧面与盘盖连接,下侧面上设有多个pin针,所述盘体(9)上沿轴向设有与多个pin针分别相对应的多个通孔,所述多个pin针分别插设于盘体(9)上的相对应的所述通孔内、并通过驱动机构的驱动由通孔内伸出或缩回,用于晶圆(4)的顶起或放下。
7.按权利要求6所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述pin针为三个,三个pin针位于同一圆周上。
8.按权利要求1所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述下密封体(8)通过支柱(11)安装在底板(10)上。
9.按权利要求1所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述工艺废气排出口(f)为两个、并分别对称设置于靠近下密封体(8)外缘的位置。
10.按权利要求1所述的热盘工艺密闭腔自动调整装置,其特征在于:所述驱动机构(1)为气缸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造