[发明专利]一种新型结构的单光子探测器

权利要求书

1.一种新型结构的单光子探测器，探测器从底层至上层依次为：衬底(1)、电极(12)、发射极(2)、发射极上隔离层(3)、势垒层(4)、量子阱(5)、势垒层(4)、势垒层上隔离层(6)、p⁺层(7)、倍增层(8)、n⁺层(9)、吸收层(10)、集电极(11)、电极(12)，其特征在于：

势垒层(4)、量子阱(5)、势垒层(4)构成双势垒结构，使探测器具有共振隧穿效应；

p⁺层(7)、倍增层(8)、n⁺层(9)构成倍增区，使探测器具有倍增效应；

探测器的光响应源于共振隧穿效应和倍增效应两种效应的叠加。

2.如权利要求1所述的一种新型结构的单光子探测器，其特征在于：势垒层上隔离层(6)位于势垒层(4)和p⁺层(7)之间，其厚度小于或等于10nm。

3.如权利要求2所述的一种新型结构的单光子探测器，其特征在于：势垒层上隔离层(6)所采用材料的能带间隙，小于吸收层(10)所采用材料的能带间隙。

4.如权利要求1所述的一种新型结构的单光子探测器，其特征在于：倍增区两端的电势差未达到倍增区的雪崩击穿电压。