[发明专利]一种穿戴式天线有效
申请号: | 201410294301.X | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN105206926B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 颜罡;马磊 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 穿戴 天线 | ||
1.一种穿戴式天线,其特征在于,包括:电磁场带隙衬底、天线辐射器和位于所述电磁场带隙衬底和天线辐射器之间的第一介质层;
所述天线辐射器包括:位于所述第一介质层背离所述电磁场带隙衬底一侧的凹形金属层;位于所述凹形金属层背离所述第一介质层一侧的第二介质层;位于所述第二介质层背离所述凹形金属层一侧的微带线,所述微带线包括电连接的第一导线和第二导线;
其中,所述凹形金属层的开口方向朝向所述第一导线,且所述凹形金属层在所述第一介质层上的投影与所述第一导线在所述第一介质层上的投影不交叠,所述凹形金属层在所述第一介质层上的投影覆盖所述第二导线在所述第一介质层上的投影,所述第一导线方向与所述凹形金属层的开口方向平行,所述凹形金属层的开口方向为与第二导线平行的方向。
2.根据权利要求1所述的穿戴式天线,其特征在于,所述凹形金属层开口的长度为所述穿戴式天线工作波长范围中心波长的1/4。
3.根据权利要求1所述的穿戴式天线,其特征在于,所述电磁场带隙衬底的反常相位频率与所述穿戴式天线的谐振频率相同。
4.根据权利要求3所述的穿戴式天线,其特征在于,所述电磁场带隙衬底包括:
第一金属层、绝缘基板和位于所述绝缘基板背离所述第一金属层一侧的多个呈矩阵排列的电磁场带隙单元。
5.根据权利要求4所述的穿戴式天线,其特征在于,所述电磁场带隙单元的俯视图形状为方形、圆形或椭圆形。
6.根据权利要求4所述的穿戴式天线,其特征在于,所述电磁场带隙单元的个数为4-6个,包括端点值。
7.根据权利要求6所述的穿戴式天线,其特征在于,所述电磁场带隙单元为蘑菇型电磁场带隙单元,或周期音叉型电磁场带隙单元,或方块型电磁场带隙单元,或共面紧凑型电磁场带隙单元。
8.根据权利要求1所述的穿戴式天线,其特征在于,所述第一介质层为FR4介质;所述第二介质层为FR4介质。
9.根据权利要求8所述的穿戴式天线,其特征在于,所述第一介质层沿所述EBG衬底到天线辐射器方向上的厚度为1.2mm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的穿戴式天线,其特征在于,所述微带线还包括:位于所述第二介质层背离所述凹形金属层一侧,与所述第二导线电连接的第三导线;
所述第三导线在所述第二介质层上投影落于所述凹形金属层在所述第二介质层上的投影范围内,且所述第三导线在平行于所述第二介质层的平面内,沿垂直于所述凹形金属层开口方向的投影与所述凹形金属层的开口在平行于所述第二介质层的平面内,沿垂直于所述凹形金属层开口方向的投影不交叠。
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