[发明专利]双铝工艺

说明书

一种双铝工艺，包括：以硅晶片作为衬底，在所述衬底上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成金属间介电层；在所述金属间介电层中刻蚀并填充通孔；在所述金属间介电层上形成第二金属层；在所述第二金属层表面形成钝化层，并露出焊盘窗口；其中，所述第一金属层和第二金属层的材质为铝或铝铜合金。本发明可以设计出大电流通道。

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种双铝工艺。

背景技术

随着集成电路工艺技术的发展，大功率器件对其额定电流的要求越来越严格，这就需要不断有新的工艺技术来支持不断提升的产品要求。

对于现有的铝制程集成电路工艺，只有一层金属采用厚铝工艺，这样设计出来的大功率器件还不能实现大电流通道。

发明内容

基于此，有必要提供一种能实现大电流通道的双铝工艺。

一种双铝工艺，包括：

以硅晶片作为衬底，在所述衬底上形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成金属间介电层；

在所述金属间介电层中刻蚀并填充通孔；

在所述金属间介电层上形成第二金属层；

在所述第二金属层表面形成钝化层，并露出焊盘窗口；

其中，所述第一金属层和第二金属层的材质为铝或铝铜合金。

在其中一个实施例中，所述第一氧化层、第一金属层、第二金属层、钝化层的形成方式为化学气相淀积法或溅射法。

在其中一个实施例中，所述第一金属层的厚度大于600纳米。

在其中一个实施例中，所述第二金属层的厚度大于600纳米。

在其中一个实施例中，在所述第一金属层上形成金属间介电层的步骤包括：

在所述第一金属层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层；

在所述富硅氧化层上淀积氟硅玻璃，形成氟硅玻璃层；

在所述氟硅玻璃层上淀积正硅酸乙酯，形成第二氧化层；

采用化学机械抛光的方式将所述金属间介电层磨平。

在其中一个实施例中，所述富硅氧化层、氟硅玻璃层、第二氧化层的厚度分别为35纳米、600纳米、350纳米。

在其中一个实施例中，在所述金属间介电层中刻蚀并填充通孔的步骤包括：

光刻出通孔的光刻图形掩膜，采用干法刻蚀工艺形成通孔；

在所述通孔的表面用溅射法形成阻挡层，然后用化学气相淀积法淀积钨填充通孔。

在其中一个实施例中，所述阻挡层包括钛和氮化钛。

在其中一个实施例中，所述第一氧化层为正硅酸乙酯沉积时形成的硅氧化物。

在其中一个实施例中，在所述第二金属层形成钝化层的步骤包括：

在所述第二金属层上淀积氟硅玻璃，形成氟硅玻璃层；

在所述氟硅玻璃层上淀积富硅氧化物，形成富硅氧化层；

在所述富硅氧化层上沉积氮化硅层；

在所述氮化硅上形成焊盘窗口的光刻图形掩膜，采用干法刻蚀工艺形成焊盘窗口。