[发明专利]一种增加铝背场面积的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制作方法，具体涉及一种增加铝背场面积的方法。

背景技术

传统结构太阳能电池的基本工艺流程包括制绒、扩散、去边结和PSG、PEARC、丝网印刷、烧结。其中铝背场起着十分重要的作用，它可以实现背电极欧姆接触，降低表面复合速率，吸杂，形成P⁺层，反射未吸收的光等作用。然而常规工艺只能实现铝背场在硅片的表面形成，因此铝背场的面积是受到硅片面积制约的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种增加铝背场面积的办法，开槽技术使得铝背场深入到硅片内部，增加了铝背场的有效面积，提高了开路电压和短路电流，且提高了电池的光电转换效率。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：一种增加铝背场面积的方法，其特征在于：在PEARC步骤与丝网印刷步骤之间，在硅片背面利用激光技术开设槽体，以增加铝背场面积。

作为一种优选，所述槽体为“n ”形，所述槽体的深度c为50～150um，宽度b为50～150um，所述槽体之间的间隔a为50～150um。

本发明的有益效果是: 通过开槽技术使得铝背场深入到硅片内部，大大提高了铝背场的有效面积，并且减少了由于基区体电阻对电池串联电阻的影响。载流子的有效收集区集中在P-N结附近一个扩散长度范围之内，通过开槽可以使得底电极靠近P-N结，从而增加了载流子的收集几率，提高了短路电流。增加了对光的反射面积，提高了光的利用率。与传统太阳能电池生产线完全兼容，可用于大规模生产。

附图说明

图1为本发明实施例硅片的背面示意图。

下面结合附图对本发明做进一步说明。

具体实施方式

实施例1：一种增加铝背场面积的方法，实施于PEARC和丝网印刷之间，在硅片2背面利用激光技术开设槽体1（如附图1所示），以增加铝背场3的面积，该槽体1为“n”形，所述槽体1的深度c为50um，宽度b为50um， 槽体1之间的间隔a为50um。经过计算得到的BSF面积比常规电池BSF面积提高了约40%。

实施例2：另一种增加铝背场面积的方法，实施于PEARC和丝网印刷之间，所述槽体1的深度为100um，宽度为100um， 槽体1之间的间隔a为100um。经过计算得到的BSF面积比常规电池BSF面积提高了约70%。其它与实施例1相同。

实施例3：又一种增加铝背场面积的方法，实施于PEARC和丝网印刷之间，所述槽体1的深度为150um，宽度为150um， 槽体1之间的间隔a为150um。经过计算得到的BSF面积比常规电池BSF面积提高了约80%。其它与实施例1相同。