[发明专利]记忆体阵列及其非挥发性记忆装置

权利要求书

1.一种非挥发性记忆装置，其特征在于，包含：

一基板区；

二储存单元，包含：二反熔丝栅极结构，形成于该基板区上，并各与该基板区间形成有一栅极介电层；以及二扩散区，分别为以一第一型杂质布植的一第一布植区，形成于所述二反熔丝栅极结构的两侧的该基板区中，并分别接触于所述二反熔丝栅极结构其中之一；

一间隙壁结构，形成于该基板区上及所述二反熔丝栅极结构间，并接触于所述二反熔丝栅极结构，其中该间隙壁结构隔离该二储存单元；以及

二控制单元，各包含：一选择栅极，形成于该基板区上，并与该基板区间形成有一介电层，该选择栅极的一第一侧与该储存单元的所述二扩散区其中之一接触；以及一第二布植区，以该第一型杂质布植形成于该基板区中，并接触该选择栅极的一第二侧。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，所述二反熔丝栅极结构还分别电性连接于一控制线，所述二控制单元的该选择栅极分别电性连接于一第一存取线，所述二控制单元的该第二布植区共同电性连接于一第二存取线。

3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，该第一存取线为一字符线，该第二存取线为一位线。

4.根据权利要求1所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，所述二反熔丝栅极结构及该选择栅极分别为一多晶硅栅极或一金属栅极。

5.根据权利要求1所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，该选择栅极与所述二扩散区其中之一及该第二布植区形成一金氧半导体元件。

6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，所述二反熔丝栅极结构其中之一的该栅极介电层崩溃，以使该扩散区位于一第一数据状态。

7.根据权利要求1所述的非挥发性记忆装置，其特征在于，所述二反熔丝栅极结构其中之一的该栅极介电层未崩溃，以使该扩散区位于一第二数据状态。

8.一种记忆体阵列，其特征在于，包含：

多个非挥发性记忆装置，各包含：一基板区、一储存单元、一间隙壁结构以及二控制单元；该储存单元包含二反熔丝栅极结构以及二扩散区；所述二反熔丝栅极结构形成于该基板区上，并各与该基板区间形成有一栅极介电层；所述二扩散区分别为以一第一型杂质布植的一第一布植区，形成于所述二反熔丝栅极结构的两侧的该基板区中，并分别接触于所述二反熔丝栅极结构其中之一；该间隙壁结构形成于该基板区上及所述二反熔丝栅极结构间，并接触于所述二反熔丝栅极结构，以隔离该二反熔丝栅极结构以及该二扩散区；所述二控制单元各包含一选择栅极以及一第二布植区；该选择栅极形成于该基板区上，并与该基板区间形成有一介电层，该选择栅极的一第一侧与该储存单元的所述二扩散区其中之一接触；所述第二布植区以该第一型杂质布植形成于该基板区中，并接触该选择栅极的一第二侧；

多个控制线，分别电性连接于所述非挥发性记忆装置至少其中之一的该储存单元的所述二反熔丝栅极结构其中之一；

多个第一存取线，分别电性连接于所述非挥发性记忆装置至少其中之一的所述二控制单元其中之一的该选择栅极；以及

多个第二存取线，分别电性连接于所述非挥发性记忆装置至少其中之一的所述二控制单元的该第二布植区。

9.根据权利要求8所述的记忆体阵列，其特征在于，所述第一存取线分别为一字符线，所述第二存取线分别为一位线。