[发明专利]LED透明导电层的粗化方法及真空设备有效
| 申请号： | 201410298735.7 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104064638B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 透明 导电 方法 真空设备 | ||
1.一种LED透明导电层的粗化方法，其特征在于，包括：
在衬底上生长外延片；
在清洗后的所述外延片上蒸镀透明导电层；
对透明导电层所处的腔体抽真空；
在预设时间内，按照预设温度加热所述腔体、并利用所述腔体在预设压力下和气瓶之间的压力差，按照预设载气流量将氮气作为载气将透明导电层腐蚀液的挥发物带入所述腔体中，对所述透明导电层进行腐蚀，其中，所述电层腐蚀液的挥发物存储在所述气瓶中；
其中，蒸镀形成的所述透明导电层厚度不小于200nm，在200s-250s内按照90℃-95℃加热所述腔体、并利用所述腔体在100mtorr-500mtorr压力下和气瓶之间的压力差，将氮气作为载气按照200sccm-300sccm的载气流量，将所述透明导电层腐蚀液的挥发物带入所述腔体中，对所述透明导电层进行腐蚀，使得粗糙度为90nm-100nm；
或者，蒸镀形成的所述透明导电层厚度不小于450nm，在400s-500s内按照70℃-80℃加热所述腔体、并利用所述腔体在100mtorr-500mtorr压力下和气瓶之间的压力差，将氮气作为载气按照200sccm-300sccm的载气流量，将所述透明导电层腐蚀液的挥发物带入所述腔体中，对所述透明导电层进行腐蚀，使得粗糙度为200nm-300nm。
2.根据权利要求1所述的粗化方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡ITO层，所述透明导电层腐蚀液为ITO腐蚀液，其中，所述ITO腐蚀液为氯化氢HCl和硝酸HNO3的混合液，或者所述ITO腐蚀液为是氯化铁FeCl3和氯化氢HCl的混合液。
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