[发明专利]固态成像装置和电子装置有效
申请号: | 201410299043.4 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN104282703B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 秋山健太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态成像装置 入射光 波导 光电转换部 相位差检测 电子装置 像素 配置 光电转换 遮光部 衬底 遮挡 半导体 开口 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
相位差检测像素,所述相位差检测像素包括:
光电转换部,形成在半导体衬底上并被配置为光电转换入射光,
波导,被配置为将所述入射光引导至所述光电转换部,以及
遮光部,形成在所述波导的开口附近并被配置为遮挡进入所述波导的所述入射光的一部分;
其中,在第一方向上射入的一部分入射光由所述波导引导至所述光电转换部,并且大部分入射光由所述遮光部反射作为反射光并且不到达光电转换部;在第二方向上射入的大部分入射光穿过所述波导的开口的未被所述遮光部遮挡的部分,并由所述波导引导至所述光电转换部。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述相位差检测像素还包括:
在所述波导的所述开口附近具有光收集点的片上透镜。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
所述相位差检测像素还包括:
遮光壁,形成在所述波导的外围中并被配置为遮挡从所述波导泄漏出的至少一部分光。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述遮光壁被形成为包围所述波导的整个外围。
5.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述遮光壁被形成为包围所述波导的所述外围的一部分。
6.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述相位差检测像素还包括:
电荷保持部,形成在所述半导体衬底上并被配置为保持由所述光电转换部光电转换的电荷,并且
所述遮光壁被配置为遮挡从所述波导泄漏至所述电荷保持部的光。
7.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
所述遮光部形成为布线层。
8.根据权利要求2所述的固态成像装置,其中
所述波导包括被配置为传播光的芯和被配置为限制在所述芯中传播的光的包层,并且
所述遮光部形成为在所述波导的所述开口附近与所述芯保持接触。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置,其中
所述芯和所述包层均由无机膜形成,并且
所述芯具有比所述包层的折射率高的折射率。
10.根据权利要求2所述的固态成像装置,还包括:
像素阵列部,包括在成行二维布置的多个成像像素之间以分散方式布置的所述相位差检测像素,其中
所述多个成像像素均至少包括所述光电转换部、所述波导以及所述片上透镜。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,
在所述半导体衬底的上方形成有层间绝缘膜,所述波导形成在层间绝缘膜中以及所述光电转换部的上方。
12.一种电子装置,包括:
固态成像装置,包括相位差检测像素,所述相位差检测像素包括:
光电转换部,形成在半导体衬底上并被配置为光电转换入射光,
波导,被配置为将所述入射光引导至所述光电转换部,以及
遮光部,形成在所述波导的开口附近并被配置为遮挡进入所述波导的所述入射光的一部分;
其中,在第一方向上射入的一部分入射光由所述波导引导至所述光电转换部,并且大部分入射光由所述遮光部反射作为反射光并且不到达所述光电转换部;在第二方向上射入的大部分入射光穿过所述波导的开口的未被所述遮光部遮挡的部分,并由所述波导引导至所述光电转换部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的